SF32LB57x-硬件设计指南

本文针对基于 SF32LB57x 系列芯片的硬件设计提供技术指引,着重梳理硬件设计核心规范与避坑要点,有效减轻开发工作量,加速产品推向市场。

1. 芯片基本介绍

SF32LB57x 为超低功耗 AIoT 专用高集成高性能 MCU,采用 Arm Cortex-M33 STAR-MC1 双大 + 小核架构,集成 2D/2.5D 图形引擎、AI 神经网络加速器、双模蓝牙 6.0 及音频编解码器,适用于腕戴穿戴设备、便携智能终端、智能家居等产品。

处理器外设资源如下:

  • 最多64个 GPIO

  • 3x UART

  • 4x I2C

  • 2x GPTIM (4CH)

  • 2x LPTIM

  • 2x ATIM (3路差分或4路单端)

  • 1x PWM (5CH)

  • 4x RTC时钟输出

  • 4x 睡眠状态下低频时钟输出(16KHz Max)

  • 2x SPI

  • 2x I2S 音频接口

  • 1x PTM (16CH)

  • 2x SDIO

  • 3x MPI 存储接口

  • 2x PDM 音频接口

  • 2x CAN

  • 1x USB2.0 FS

  • 1x GPADC (12CH)

  • 1x 差分模拟音频输出

  • 2x 差分模拟音频输入

  • 1x LCDC (24bit DPI、16bit 8080、QSPI、16bit EPD、串行JDI和并行JDI)

  • 1x DCMI (16bit DVP和4data QSPI)

  • 10x 硬件唤醒源

  • 支持 DBG-UART 和 SWD 调试

  • 支持 DBG-UART、SWD、UART和USB 下载

1.1.芯片型号命名

../_images/57x-part-numbering.svg



备注

SF32LB57x系列芯片包含两种类型:锂电池供电和3.3V常规供电。
570/3/5/6/7/8/9是锂电池供电版本,下文简称电池供电系列。
57Z/C/E/F/G/H/J是3.3V常规供电版本,下文简称3.3V供电系列。

1.2.封装尺寸

表1-2-1 封装信息表

备注

芯片的具体封装形式,参考规格书中订购信息中的描述。

1.3.Pinout

../_images/57x-PKG-QFN68-HV.svg
图1-3-1 QFN68L 电池供电系列管脚分布


../_images/57x-PKG-QFN68-LV.svg
图1-3-2 QFN68L 3.3V供电系列管脚分布


../_images/57x-PKG-QFN80-HV.svg
图1-3-3 QFN80L 电池供电系列管脚分布


../_images/57x-PKG-QFN80-LV.svg
图1-3-4 QFN80L 3.3V供电系列管脚分布


备注

芯片的POD尺寸图,参考规格书中相关章节的描述。

2.原理图设计指导

2.1.电源

2.1.1.QFN68L 封装芯片供电要求

表2-1-1 QFN68L 电池供电系列电源供电要求

电源管脚

最小电压(V)

典型电压(V)

最大电压(V)

最大电流(mA)

详细描述

VBUS

4.5

5.0

5.5

400

VBUS 电源输入,内部充电模块的电源输入口

VBAT

3.0

-

4.7

400

VBAT 电源输出,接电池,同时内部有ADC来检查电池电压值

VSYS

-

3.3

-

150

3.0V 电源输出,外挂电容到地\(^{[1]}\)

BUCK_LX

-

3.3

-

50

Buck 电感开关,接电感一端

BUCK_FB

-

1.25

-

50

Buck 输出,接电感另一端并接电容到地

VDD_VOUT1

-

1.1

-

50

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_VOUT2

-

0.9

-

20

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_RET

-

0.9

-

1

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_RTC

-

1.1

-

1

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VCC

3.0

-

4.7

200

系统电源输入,接电池\(^{[2]}\)

VDD18_VOUT

-

1.8

-

30

1.8V LDO 输出,内部电源,接电容到地,不给外设供电

VDD33_VOUT1

-

3.3

-

150

3.3V LDO 输出 1 ,接电容到地,150mA 带载能力,默认打开有输出\(^{[3]}\)

VDD33_VOUT2

-

3.3

-

150

3.3V LDO 输出 2 ,默认无输出,需要软件配置才有 3.3V 输出\(^{[4]}\)

GPADC_VREF

-

-

-

-

GPADC VREF 输入,接电容到地,不用外供电源

AVDD_BRF

2.97

3.3

3.63

100

射频电源输入,接VSYS

AUD_VREF

-

-

-

-

音频参考电压输入,接电容到地,不用外供电源

AVDD33_AUD

2.97

3.3

3.63

50

音频电源输入,接VDD33_VOUT1

MIC_BIAS

1.4

-

2.8

2

MIC 电源输出,接MIC电源

备注

[1] :VSYS 电源,给 AVDD_BRF 供电。
[2] :VCC 电源输入,锂电池供电,开机电压3.5V±10%,默认软件设置低电电压 = 3.48V;恒压电源供电时,供电范围 3.6~4.7V,推荐 3.8V 供电。
[3] :VDD33_VOUT1 的 LDO 内部有软启动限流功能,在使能 LDO 时,负载电流不能超过 30mA,否则会 LDO 会开启失败。当 LDO 完全使能后,有 150mA 带载能力,给外挂 Flash 和 AVDD33_AUD 供电。
[4] :VDD33_VOUT2 的 LDO 内部有软启动限流功能,在使能 LDO 时,负载电流不能超过 30mA,否则会 LDO 会开启失败。当 LDO 完全使能后,有 150mA 带载能力,给马达或 LCD 屏供电。

表2-1-2 QFN68L 3.3V 供电系列电源供电要求

电源管脚

最小电压(V)

典型电压(V)

最大电压(V)

最大电流(mA)

详细描述

VDDIOA

1.62

1.8/3.3

3.63

100

GPIO 电源输入,接 1.8V 或 3.3V 电源

VBATS

0

-

4.7

1

电池电压检测输入,内部有ADC来检查电池电压值

PVDD

2.97

3.3

3.63

200

PMU电源输入,接 3.3V 电源

BUCK_LX

-

3.3

-

50

Buck 电感开关,接电感一端

BUCK_FB

-

1.25

-

50

Buck 输出,接电感另一端并接电容到地

VDD_VOUT1

-

1.1

-

50

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_VOUT2

-

0.9

-

20

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_RET

-

0.9

-

1

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_RTC

-

1.1

-

1

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

AVDD33

2.97

3.3

3.63

20

模拟电源输入,接 3.3V 电源

VDD18_VOUT

-

1.8

-

30

1.8V LDO 输出,内部电源,接电容到地,不给外设供电

GPADC_VREF

-

-

-

-

GPADC VREF 输入,接电容到地,不用外供电源

AVDD_BRF

2.97

3.3

3.63

100

射频电源输入,接 3.3V 电源

AUD_VREF

-

-

-

-

音频参考电压输入,接电容到地,不用外供电源

AVDD33_AUD

2.97

3.3

3.63

50

音频电源输入,接 3.3V 电源

MIC_BIAS

1.4

-

2.8

2

MIC 电源输出,接MIC电源

备注

VDDIOA 接1.8V时,内部Flash的读写速率要小于80MHz;VDDIOA 接.3.V时,内部Flash的读写速率可以配置默认的104MHz。 PVDD、AVDD33、AVDD_BRF和AVDD33_AUD都接 3.3V 电源,PCB走线时采用星型结构,都单独从电源拉线到相应管脚。

2.1.2.QFN80L 封装芯片供电要求

表2-1-3 QFN80L 电池供电系列电源供电要求

电源管脚

最小电压(V)

典型电压(V)

最大电压(V)

最大电流(mA)

详细描述

VDDIOA

1.62

1.8/3.3

3.63

100

GPIO 电源输入,接 1.8V 或 3.3V 电源

VBATS

0

-

4.7

1

电池电压检测输入,内部有ADC来检查电池电压值

VSYS

-

3.3

-

150

3.0V 电源输出,外挂电容到地\(^{[1]}\)

BUCK_LX

-

3.3

-

50

Buck 电感开关,接电感一端

BUCK_FB

-

1.25

-

50

Buck 输出,接电感另一端并接电容到地

VDD_VOUT1

-

1.1

-

50

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_VOUT2

-

0.9

-

20

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_RET

-

0.9

-

1

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_RTC

-

1.1

-

1

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

AVDD33

2.97

3.3

3.63

20

模拟电源输入,接 3.3V 电源

VCC

3.0

-

4.7

200

系统电源输入,接电池\(^{[2]}\)

VDD18_VOUT

-

1.8

-

30

1.8V LDO 输出,内部电源,接电容到地,不给外设供电

VDD33_VOUT1

-

3.3

-

150

3.3V LDO 输出 1 ,接电容到地,150mA 带载能力,默认打开有输出\(^{[3]}\)

GPADC_VREF

-

-

-

-

GPADC VREF 输入,接电容到地,不用外供电源

AVDD_BRF

2.97

3.3

3.63

100

射频电源输入,接VSYS

AUD_VREF

-

-

-

-

音频参考电压输入,接电容到地,不用外供电源

AVDD33_AUD

2.97

3.3

3.63

50

音频电源输入,接VDD33_VOUT1

MIC_BIAS

1.4

-

2.8

2

MIC 电源输出,接MIC电源

备注

[1] :VSYS 电源,给 AVDD_BRF 供电。
[2] :VCC 电源输入,锂电池供电,开机电压3.5V±10%,默认软件设置低电电压 = 3.48V;恒压电源供电时,供电范围 3.6~4.7V,推荐 3.8V 供电。
[3] :VDD33_VOUT1 的 LDO 内部有软启动限流功能,在使能 LDO 时,负载电流不能超过 30mA,否则会 LDO 会开启失败。当 LDO 完全使能后,有 150mA 带载能力,给外挂 Flash 和 AVDD33_AUD 供电。该LDO会同时给内部 MPI2 或 MPI3 上合封的FLASH供电,具体请参照芯片型号定义说明。

表2-1-4 QFN80L 3.3V 供电系列电源供电要求

电源管脚

最小电压(V)

典型电压(V)

最大电压(V)

最大电流(mA)

详细描述

VDDIOA

1.62

3.3

3.63

100

GPIO 电源输入,接 1.8V 或 3.3V 电源

VBATS

0

-

4.7

1

电池电压检测输入,内部有ADC来检查电池电压值

BUCK_LX

-

3.3

-

50

Buck 电感开关,接电感一端

BUCK_FB

-

1.25

-

50

Buck 输出,接电感另一端并接电容到地

VDD_VOUT1

-

1.1

-

50

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_VOUT2

-

0.9

-

20

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_RET

-

0.9

-

1

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

VDD_RTC

-

1.1

-

1

内部 LDO,外挂电容,内部电源,不给外设供电

AVDD33

2.97

3.3

3.63

20

模拟电源输入,接 3.3V 电源

PVDD

2.97

3.3

3.63

200

PMU电源输入,接 3.3V 电源\(^{[1]}\)

VDD18_VOUT

-

1.8

-

30

1.8V LDO 输出,内部电源,接电容到地,不给外设供电

VDDIOSB

-

1.8/3.3

-

30

SIP SB IO 电源输入,电压随芯片型号存在差异,具体要求请查阅注释\(^{[2]}\)

GPADC_VREF

-

-

-

-

GPADC VREF 输入,接电容到地,不用外供电源

AVDD_BRF

2.97

3.3

3.63

100

射频电源输入,接 3.3V 电源

AUD_VREF

-

-

-

-

音频参考电压输入,接电容到地,不用外供电源

AVDD33_AUD

2.97

3.3

3.63

50

音频电源输入,接 3.3V 电源

MIC_BIAS

1.4

-

2.8

2

MIC 电源输出,接MIC电源

备注

[1] :PVDD、AVDD33、AVDD_BRF、AVDD33_AUD和VDDIOA都接 3.3V 电源,PCB走线时采用星型结构,都单独从电源拉线到相应管脚。
[2] :请参照芯片型号定义说明:MPI2、MPI3 型号若合封 PSRAM,VDDIOSB 接 1.8V 的 VDD18_VOUT 电源;合封 NOR Flash 则该引脚外供 3.3V 电源。

2.1.4.上电时序

../_images/SF32LB57x-POR-VBAT.png
图2-1-4-1 电池供电芯片上电时序图


../_images/SF32LB57x-POR-3V3.png
图2-1-4-2 3.3V供电芯片上电时序图


2.1.5.BUCK电感选择要求

功率电感关键参数

重要

L(电感值) = 4.7uH ± 20%,DCR(直流阻抗) ≦ 0.4 ohm,Isat(饱和电流) ≧ 450mA。

2.1.6.电池及充电控制

充电电路分为两种应用方案:外置充电管理芯片方案、芯片内置充电管理模块方案。

2.1.6.1.外部充电管理芯片

外置充电管理芯片分为不带电源路径管理(PPM)、带电源路径管理(PPM)两种类型:

  1. 无 PPM 方案(典型电路参见图2-1-6-1-1):电池直接给 SF32LB57x 的 VBAT、VCC 引脚供电;

  2. 带 PPM 方案(典型电路参见图2-1-6-1-2):充电芯片 VSYS 管脚为 SF32LB57x 的 VCC 引脚供电,充电芯片 VBAT 管脚同时接电池与 SF32LB57x 的 VBAT 引脚。

两种方案均依靠 VBAT 引脚检测电池电压,该引脚内置一路 GPADC,电压采样精度为 ±30mV。

../_images/SF32LB57x-CHG-NPPM.png
图2-1-6-1-1 无 PPM 功能的外部充电芯片电路示意图


../_images/SF32LB57x-CHG-PPM.png
图2-1-6-1-2 带 PPM 功能的外部充电芯片电路示意图


2.1.6.2.片内集成充电管理模块

采用 SF32LB57x 芯片内置充电管理模块时(典型电路参见图 2-1-6-2-1),若设备因电池亏电关机,接入充电器后,需将电池充电至开机电压,系统方可正常上电启动并弹出充电显示界面。

../_images/SF32LB57x-CHG-INNER.png
图2-1-6-2-1 集成充电管理电路示意图


2.1.6.3.使用片内集成充电管理模块时OVP芯片的选型

SF32LB57x 的 VBUS 引脚输入电压范围为 4.5V~5.5V,因此仅可选用以下两类 OVP 保护芯片:

  • 支持 OVLO 可调的 OVP 芯片,参考型号:AW32905FCR

  • 集成稳压输出功能的 OVP 芯片,参考型号:SGM4064YDE8G、LP5305AQVF

图2-1-6-3-1 为 OVLO 可调型 OVP 芯片的典型应用电路,OVP 芯片输出电压 VIN_OVLO 需设置在 5.2V~5.5V 区间内,参数计算过程中需要纳入芯片本身及分压电阻带来的误差影响,具体计算公式如下:

\(\Large V_{\mathrm{IN\_OVLO}} = \frac{R_1+R_2}{R_2} V_{\mathrm{OVLO\_TH}}\)

要求:其中VOVLO_TH要求误差≦3%,R1和R2的电阻误差≦1%

../_images/SF32LB57x-OVP-OVLO.png
图2-1-6-3-1 带 OVLO 可调的 OVP 芯片应用电路图


图2-1-6-3-2 为稳压输出型 OVP 芯片的典型应用电路,该类 OVP 芯片稳压输出电压需低于 5.5V,为 SF32LB57x 的 VBUS 引脚提供供电。

要求:OVP芯片的LDO输出电压在4.5V ~ 5.4V

../_images/SF32LB57x-OVP-REGU.png
图2-1-6-3-2 带 Regulator 输出的 OVP 芯片应用电路图


2.1.7.如何降低待机功耗

为满足穿戴设备长续航设计需求,硬件端建议通过负载开关对各功能模块实施动态电源管理;针对常开启的模块或信号通路,需优选低静态电流规格器件以降低功耗。

如图2-1-7-1 所示,在 SF32LB57x 典型系统电源架构中,推荐电源分配方案如下:VDD33_VOUT2 用于电机供电,VDD33_VOUT1 为外部 Flash、传感器等外设供电,显示屏 LCD 需采用独立外置 LDO 供电。

硬件设计要点:

  • 合理配置电源开关控制 GPIO 的默认电平,搭配兆欧级上下拉电阻,确保负载开关上电默认处于关闭状态;

  • LDO、负载开关(Load Switch)选型需优先选用静态电流 Iq、关断电流 Istb 参数优异的器件,常开类电源芯片需重点核查静态电流 Iq 指标。

../_images/SF32LB57x-H-PWR-diagram.png
图2-1-7-1 SF32LB57x 电池供电系统电源结构图


../_images/SF32LB57x-L-PWR-diagram.png
图2-1-7-2 SF32LB57x 3.3V供电系统电源结构图


2.2.处理器工作模式及唤醒源

表2-2-1 CPU Mode Table

工作模式

CPU

外设

SRAM

IO

LPTIM

唤醒源

唤醒时间

Active

Run

Run

可访问

可翻转

Run

-

-

Sleep

Stop

Run

可访问

可翻转

Run

任意中断

<0.5us

DeepSleep

Stop

Stop

不可访问,全保留

电平保持

Run

RTC,唤醒IO,GPIO,LPTIM,蓝牙

250us

Standby

Reset

Reset

不可访问,全保留

电平保持

Run

RTC,唤醒IO,LPTIM,蓝牙

1ms

Hibernate

Reset

Reset

不可访问,不保留

高阻

Reset

RTC,唤醒IO

>2ms

如表2-2-2所示,全系列芯片支持 10 个 Standby 和 Hibernate 模式下可唤醒中断源。

表2-2-2 Interrupt wake up source Table

中断源

管脚

详细描述

WKUP_PIN0

PA33

中断信号0

WKUP_PIN1

PA34

中断信号1

WKUP_PIN2

PA35

中断信号2

WKUP_PIN3

PA36

中断信号3

WKUP_PIN4

PA37

中断信号4

WKUP_PIN5

PA38

中断信号5

WKUP_PIN6

PA39

中断信号6

WKUP_PIN7

PA40

中断信号7

WKUP_PIN8

PA41

中断信号8

WKUP_PIN9

PA42

中断信号9

2.3.时钟

2.3.1晶体

芯片需要外部提供2个时钟源,48MHz主晶体和32.768KHz RTC晶体,晶体的具体规格要求和选型如下:

表2-3-1-1 晶体规格要求

晶体

晶体规格要求

详细描述

48MHz

7pF≦CL≦12pF(推荐值8.8pF) △F/F0≦±10ppm ESR≦30 ohms(推荐值22ohms)

晶体功耗和CL,ESR相关,CL和ESR越小功耗越低,为了最佳功耗性能,建议采用CL和ESR在要求范围内相对较小值的物料。晶体旁边预留并联匹配电容,当CL<12pF时,无需焊接电容

32.768KHz

CL=7pF 或 11.5pF(芯片默认11.5pF,7pF需要修改寄存器配置)△F/F0≦±20ppm ESR≦80k ohms(推荐值38Kohms)

晶体功耗和CL,ESR相关,CL和ESR越小功耗越低,为了最佳功耗性能,建议采用CL和ESR在要求范围内相对较小值的物料。晶体旁边预留并联匹配电容,7pF和11.5pF晶体不用焊接电容,其他规格晶体需自行测试需要匹配的电容值

表2-3-1-2 推荐晶体列表

型号

厂家

参数

E1SB48E001G00E

Hosonic

F0 = 48.000000MHz,△F/F0 = -6 ~ 8 ppm,CL = 8.8 pF,ESR = 22 ohms Max TOPR = -30 ~ 85℃,Package =(2016 公制)

ETST00327000LE

Hosonic

F0 = 32.768KHz,△F/F0 = -20 ~ 20 ppm,CL = 7 pF,ESR = 70K ohms Max TOPR = -40 ~ 85℃,Package =(3215 公制)

SX20Y048000B31T-8.8

TKD

F0 = 48.000000MHz,△F/F0 = -10 ~ 10 ppm,CL = 8.8 pF,ESR = 40 ohms Max TOPR = -20 ~ 75℃,Package =(2016 公制)

SF32K32768D71T01

TKD

F0 = 32.768KHz,△F/F0 = -20 ~ 20 ppm,CL = 7 pF,ESR = 70K ohms Max TOPR = -40 ~ 85℃,Package =(3215 公制)

SF32WK32768D71T005

TKD

F0 = 32.768KHz,△F/F0 = -20 ~ 20 ppm,CL = 7 pF,ESR = 70K ohms Max TOPR = -40 ~ 85℃,Package =(3215 公制)

CN4048M000885C822000

JWT

F0 = 48.000000MHz,△F/F0 = -8 ~ 8 ppm,CL = 8.8 pF,ESR = 22 ohms Max TOPR = -30 ~ 85℃,Package =(2016 公制)

DH2032K76807T2719002

JWT

F0 = 32.768KHz,△F/F0 = -20 ~ 20 ppm,CL = 7 pF,ESR = 70K ohms Max TOPR = -40 ~ 85℃,Package =(3215 公制)

备注

  • SX20Y048000B31T-8.8的ESR略大,静态功耗也会略大些。 \

  • PCB走线时,在晶体下面至少挖掉第二层的GND铜来减少时钟信号上的寄生负载电容。

  • 32.768KHz晶体CL对应的寄存器设置:

    • 7pF: PMUC->LXT_CR->CAP_SEL = 0;

    • 11.5pF PMUC->LXT_CR->CAP_SEL = 1;

详细的物料认证信息,请参考: SIFLI-MCU-AVL-认证表

2.3.2低功耗时钟输出

芯片在 Sleep、DeepSleep、Standby 和 Hibernate 模式下,PA24 ~ PA27 管脚可以输出 RC10K 或 32.768KHz 时钟信号。

芯片在 Sleep、DeepSleep 和 Standby 模式下,PA24 ~ PA27 管脚可以输出 LPTIM2 定时器设定的 PWM 时钟,最高频率到16KHz。

2.4.存储

2.4.1.存储器连接接口描述

芯片支持外挂 SPI Nor Flash、SPI NAND Flash、SD NAND Flash和eMMC 四种存储介质。

如表2-4-1-1所示,只有 PA12 ~ PA17 管脚上的 MPI3 接口支持 SPI Nor Flash 和 SPI NAND Flash 存储器。

表2-4-1-1 SPI Nor/Nand Flash信号连接

Flash 信号

I/O信号

详细描述

CS#

PA12

Chip select, active low.

SO

PA13

Data Input (Data Input Output 1)

WP#

PA14

Write Protect Output (Data Input Output 2)

SI

PA15

Data Output (Data Input Output 0)

SCLK

PA16

Serial Clock Output

Hold#

PA17

Data Output (Data Input Output 3)

任何一组 SDIO 接口都可以接 SD Nand Flash 和 eMMC 存储,默认推荐 P12 ~ PA17 管脚,如表2-4-1-2所示。

表2-4-1-2 SD Nand Flash和eMMC信号连接

Flash 信号

I/O信号

详细描述

SD2_CMD

PA15

命令信号

SD2_D1

PA17

数据1

SD2_D0

PA16

数据0

SD2_CLK

PA14

时钟信号

SD2_D2

PA12

数据2

SD2_D3

PA13

数据3

备注

eMMC芯片有VCC和VCCQ两种电源域,方式1:可以2个电源一起做控制,关机功耗低,但eMMC在sleep时恢复慢,CPU平均功耗高;方式2:可以单独控制VCC,VCCQ常供不断电,关机功耗比方式1高,但eMMC在sleep时恢复快,CPU平均功耗比方式1低。

2.4.2.启动设置

芯片可通过下述介质实现启动:内置合封 SPI Nor Flash、外接 SPI Nor Flash、外接 SPI Nand Flash 和外接 SD Nand Flash,详细介绍如下:

  • 内置合封 SPI Nor Flash 的芯片型号,默认从片内合封 Flash 启动;

  • 未内置合封 SPI Nor Flash 的芯片型号,仅可通过外接存储介质实现启动。

../_images/SF32LB57x-A-Bootstrap.png
图2-4-2-1 Bootstrap管脚推荐电路图


表2-4-2-1 启动选项设置

Bootstrap[1] (PA13)

Bootstrap[0] (PA17)

Boot From ext memory

L

L

SPI Nor Flash

L

H

SPI Nand Flash

H

L

SD Nand Flash

H

H

eMMC

2.4.3.启动存储介质电源控制

芯片支持启动存储介质的电源开关控制功能,可有效降低设备关机功耗。电源开关的使能引脚固定采用 PA21,控制电平逻辑为高电平开启、低电平关闭。

重要

  • 电池供电系列芯片:外接启动介质为NOR FLASH时,存储介质电源采用VDD33_VOUT1供电;外接启动介质为SPI NAND FLASH时,需在VDD33_VOUT1后端增加电源开关电路后供电。

  • 电池供电系列芯片:外接启动介质为SD NAND FLASH或eMMC时,存储介质电源采用外部LDO供电,LDO 使能引脚推荐使用PA21控制;无PA21引脚的封装型号,可选用默认上拉的引脚作为控制引脚。

  • 3.3V供电系列芯片:外接启动存储介质统一采用外部LDO供电,LDO 使能引脚推荐使用PA21控制。

  • 参考设计中PA13、PA17 引脚均预留上拉电阻位,可根据实际选用的存储介质类型选配适配电阻,推荐阻值为7.5kΩ。

2.5.射频

射频走线需按照50Ω特征阻抗进行设计。若天线已完成阻抗匹配,射频线路无需额外增设匹配器件。为适配杂散滤波及天线调试匹配需求,设计过程中建议预留π型匹配网络。

../_images/SF32LB57x-rf-diagram.png
图2-5-1 射频电路图


2.6.GPIO

芯片可通过 IO 复用表(IO MUX)或引脚矩阵表(Matrix table)完成 GPIO 功能配置:

  • IO MUX 为 GPIO 外设专用配置通道,支持功能复用编号 0~15;

  • Matrix table 可实现矩阵输入、输出引脚的任意互连,支持信号灵活引脚分配;

  • 功能复用编号 16~175 均通过 Matrix table 通道配置,涉及外设包括 I2C、SPI、UART、CAN、PTA/BT、通用定时器、低功耗定时器、高级定时器、PWM、I2S、PTM、LCD 控制器、PDM、DCMI;

  • IO MUX 与 GPIO 引脚交换矩阵的详细配置说明,可查阅芯片规格书及用户手册中 IO MUX 与 Matrix table 相关章节。

详细的引脚复用配置信息可参见 表2-6-1 、 表2-6-2 和 表2-6-3 。

表2-6-1 IO MUX 表

PAD

PUPD

Function 0

Function 1

Function 2

Function 3

Function 4

Function 5

Function 6

Function 15

Function 16 ~ 255

PA00

PD

GPIO_A0

LCDC1_SPI_RSTB

SD2_DIO2

Matrix Index Table

PA01

PD

GPIO_A1

SD2_DIO3

Matrix Index Table

PA02

PD

GPIO_A2

LCDC1_SPI_TE

SD2_CLK

Matrix Index Table

PA03

PU

GPIO_A3

LCDC1_SPI_CS

SD2_CMD

Matrix Index Table

PA04

PD

GPIO_A4

LCDC1_SPI_CLK

SD2_DIO0

Matrix Index Table

PA05

PD

GPIO_A5

LCDC1_SPI_DIO0

SD2_DIO1

Matrix Index Table

PA06

PD

GPIO_A6

LCDC1_SPI_DIO1

SD1_DIO2

Matrix Index Table

PA07

PD

GPIO_A7

LCDC1_SPI_DIO2

SD1_DIO3

Matrix Index Table

PA08

PD

GPIO_A8

LCDC1_SPI_DIO3

SD1_CLK

Matrix Index Table

PA09

PD

GPIO_A9

SD1_CMD

#ADC1N

Matrix Index Table

PA10

PD

GPIO_A10

SD1_DIO0

#ADC2P

Matrix Index Table

PA11

PU

GPIO_A11

MPI3_CS2

SD1_DIO1

#ADC2N

Matrix Index Table

PA12

PU

GPIO_A12

MPI3_CS

SD1_DIO2

Matrix Index Table

PA13

PD

GPIO_A13

MPI3_DIO1

SD1_DIO3

Matrix Index Table

PA14

PD

GPIO_A14

MPI3_DIO2

SD1_CLK

Matrix Index Table

PA15

PD

GPIO_A15

MPI3_DIO0

SD1_CMD

Matrix Index Table

PA16

PD

GPIO_A16

MPI3_CLK

SD1_DIO0

Matrix Index Table

PA17

PD

GPIO_A17

MPI3_DIO3

SD1_DIO1

Matrix Index Table

PA18

PU

GPIO_A18

USART1_RXD

SWCLK

Matrix Index Table

PA19

PU

GPIO_A19

USART1_TXD

SWDIO

Matrix Index Table

PA20

PD

GPIO_A20

SWO

Matrix Index Table

PA21

PD

GPIO_A21

Matrix Index Table

PA22

-

GPIO_A22

SD1_DIO2

SD2_DIO2

#XTAL32K_XI

Matrix Index Table

PA23

-

GPIO_A23

SD1_DIO3

SD2_DIO3

#XTAL32K_XO

Matrix Index Table

PA24

PD

GPIO_A24

SPI1_DIO

SD1_CLK

SD2_CLK

#RTC_CLK

#LPTIM2_OUT

#LPTIM2_OUTB

Matrix Index Table

PA25

PD

GPIO_A25

SPI1_DI

SD1_CMD

SD2_CMD

#RTC_CLK

#LPTIM2_OUT

#LPTIM2_OUTB

#XTAL32K_EXT

Matrix Index Table

PA26

PU

GPIO_A26

SD1_DIO0

SD2_DIO0

#RTC_CLK

#LPTIM2_OUT

#LPTIM2_OUTB

Matrix Index Table

PA27

PU

GPIO_A27

SD1_DIO1

SD2_DIO1

#RTC_CLK

#LPTIM2_OUT

#LPTIM2_OUTB

Matrix Index Table

PA28

PD

GPIO_A28

SPI1_CLK

SD2_DIO2

#GPADC_CH0

Matrix Index Table

PA29

PD

GPIO_A29

SPI1_CS

SD2_DIO3

#GPADC_CH1

Matrix Index Table

PA30

PD

GPIO_A30

SD2_CLK

#EFUSE_PWR

#GPADC_CH2

Matrix Index Table

PA31

PD

GPIO_A31

SD2_CMD

#GPADC_CH3

Matrix Index Table

PA32

PD

GPIO_A32

SD2_DIO0

#GPADC_CH4

Matrix Index Table

PA33

PD

GPIO_A33

SD2_DIO1

#WKUP_PIN

#GPADC_CH5

Matrix Index Table

PA34

PD

GPIO_A34

#WKUP_PIN

#GPADC_CH6

Matrix Index Table

PA35

PD

GPIO_A35

USB_DP

#WKUP_PIN

#GPADC_CH7

Matrix Index Table

PA36

PD

GPIO_A36

USB_DM

#WKUP_PIN

#GPADC_CH8

Matrix Index Table

PA37

PD

GPIO_A37

SPI2_DIO

SD1_DIO2

#WKUP_PIN

#GPADC_CH9

Matrix Index Table

PA38

PD

GPIO_A38

SPI2_DI

SD1_DIO3

#WKUP_PIN

#GPADC_CH10

Matrix Index Table

PA39

PU

GPIO_A39

SPI2_CLK

SD1_CLK

#WKUP_PIN

Matrix Index Table

PA40

PU

GPIO_A40

SPI2_CS

SD1_CMD

#WKUP_PIN

Matrix Index Table

PA41

PU

GPIO_A41

SD1_DIO0

#WKUP_PIN

Matrix Index Table

PA42

PU

GPIO_A42

SD1_DIO1

#WKUP_PIN

Matrix Index Table

PA43

PD

GPIO_A43

SWCLK

Matrix Index Table

PA44

PD

GPIO_A44

SWDIO

Matrix Index Table

PA45

PD

GPIO_A45

SD2_DIO2

Matrix Index Table

PA46

PD

GPIO_A46

SD2_DIO3

Matrix Index Table

PA47

PD

GPIO_A47

SD2_CLK

Matrix Index Table

PA48

PD

GPIO_A48

SD2_CMD

Matrix Index Table

PA49

PD

GPIO_A49

SD2_DIO0

Matrix Index Table

PA50

PD

GPIO_A50

SD2_DIO1

Matrix Index Table

PA51

PD

GPIO_A51

Matrix Index Table

PA52

PD

GPIO_A52

Matrix Index Table

PA53

PD

GPIO_A53

Matrix Index Table

PA54

PD

GPIO_A54

Matrix Index Table

PA55

PD

GPIO_A55

#ADC1P

Matrix Index Table

PA56

PD

GPIO_A56

#MICBIAS

Matrix Index Table

PA57

PD

GPIO_A57

Matrix Index Table

表2-6-2 matrix table 表

module

bit

index

sub index

func

I2C

8

16

0

I2C1_SCL

17

1

I2C1_SDA

18

2

I2C2_SCL

19

3

I2C2_SDA

20

4

I2C3_SCL

21

5

I2C3_SDA

22

6

I2C4_SCL

23

7

I2C4_SDA

SPI

8

24

8

SPI1_CLK

25

9

SPI1_CS

26

10

SPI1_DI

27

11

SPI1_DIO

28

12

SPI2_CLK

29

13

SPI2_CS

30

14

SPI2_DI

31

15

SPI2_DIO

UART

12

32

16

UART1_TXD

33

17

UART1_RXD

34

18

UART1_RTS

35

19

UART1_CTS

36

20

UART2_TXD

37

21

UART2_RXD

38

22

UART2_RTS

39

23

UART2_CTS

40

24

UART3_TXD

41

25

UART3_RXD

42

26

UART3_RTS

43

27

UART3_CTS

CAN

4

44

28

CAN1_TXD

45

29

CAN1_RXD

46

30

CAN2_TXD

47

31

CAN2_RXD

PTA/BT

6

48

32

BT_ACTIVE

49

33

BT_PRIORITY

50

34

BT_COLLISION

51

35

WLAN_ACTIVE

52

36

BT_TX

53

37

BT_RX

GPTIM

10

54

38

GPTIM1_CH1

55

39

GPTIM1_CH2

56

40

GPTIM1_CH3

57

41

GPTIM1_CH4

58

42

GPTIM1_ETR

59

43

GPTIM2_CH1

60

44

GPTIM2_CH2

61

45

GPTIM2_CH3

62

46

GPTIM2_CH4

63

47

GPTIM2_ETR

LPTIM

6

64

48

LPTIM1_IN

65

49

LPTIM1_OUT

66

50

LPTIM1_ETR

67

51

LPTIM2_IN

68

52

LPTIM2_OUT

69

53

LPTIM2_ETR

ATIM

20

70

54

ATIM1_CH1

71

55

ATIM1_CH2

72

56

ATIM1_CH3

73

57

ATIM1_CH4

74

58

ATIM1_ETR

75

59

ATIM1_CH1N

76

60

ATIM1_CH2N

77

61

ATIM1_CH3N

78

62

ATIM1_BK

79

63

ATIM1_BK2

80

64

ATIM2_CH1

81

65

ATIM2_CH2

82

66

ATIM2_CH3

83

67

ATIM2_CH4

84

68

ATIM2_ETR

85

69

ATIM2_CH1N

86

70

ATIM2_CH2N

87

71

ATIM2_CH3N

88

72

ATIM2_BK

89

73

ATIM2_BK2

PWM

5

90

74

PWM1_CH1

91

75

PWM1_CH2

92

76

PWM1_CH3

93

77

PWM1_CH4

94

78

PWM1_CH5

I2S

10

95

79

I2S1_MCLK

96

80

I2S1_SDO

97

81

I2S1_SDI

98

82

I2S1_BCK

99

83

I2S1_LRCK

100

84

I2S2_MCLK

101

85

I2S2_SDO

102

86

I2S2_SDI

103

87

I2S2_BCK

104

88

I2S2_LRCK

PTM

16

105

89

PTM1_CH0

106

90

PTM1_CH1

107

91

PTM1_CH2

108

92

PTM1_CH3

109

93

PTM1_CH4

110

94

PTM1_CH5

111

95

PTM1_CH6

112

96

PTM1_CH7

113

97

PTM1_CH8

114

98

PTM1_CH9

115

99

PTM1_CH10

116

100

PTM1_CH11

117

101

PTM1_CH12

118

102

PTM1_CH13

119

103

PTM1_CH14

120

104

PTM1_CH15

LDCD

30

121

105

LCDC_IF0

122

106

LCDC_IF1

123

107

LCDC_IF2

124

108

LCDC_IF3

125

109

LCDC_IF4

126

110

LCDC_IF5

127

111

LCDC_IF6

128

112

LCDC_IF7

129

113

LCDC_IF8

130

114

LCDC_IF9

131

115

LCDC_IF10

132

116

LCDC_IF11

133

117

LCDC_IF12

134

118

LCDC_IF13

135

119

LCDC_IF14

136

120

LCDC_IF15

137

121

LCDC_IF16

138

122

LCDC_IF17

139

123

LCDC_IF18

140

124

LCDC_IF19

141

125

LCDC_IF20

142

126

LCDC_IF21

143

127

LCDC_IF22

144

128

LCDC_IF23

145

129

LCDC_IF24

146

130

LCDC_IF25

147

131

LCDC_IF26

148

132

LCDC_IF27

149

133

LCDC_IF28

150

134

LCDC_IF29

PDM

6

151

135

PDM1_CLK

152

136

PDM2_CLK

153

137

PDM1_DATA

154

138

PDM1_DATA2

155

139

PDM2_DATA

156

140

PDM2_DATA2

DCMI

19

157

141

DCMI_CLK

158

142

DCMI_HSYNC

159

143

DCMI_VSYNC

160

144

DCMI_DI0

161

145

DCMI_DI1

162

146

DCMI_DI2

163

147

DCMI_DI3

164

148

DCMI_DI4

165

149

DCMI_DI5

166

150

DCMI_DI6

167

151

DCMI_DI7

168

152

DCMI_DI8

169

153

DCMI_DI9

170

154

DCMI_DI10

171

155

DCMI_DI11

172

156

DCMI_DI12

173

157

DCMI_DI13

174

158

DCMI_DI14

175

159

DCMI_DI15

表2-6-3 matrix table - LCDC sub MUX 表

Matrix sig

SPI (IF_SEL = 0)

JDI (IF_SEL = 0)

EPD (IF_SEL = 1)

DBI (IF_SEL = 2)

DPI (IF_SEL = 3)

LCDC_IF0

LCDC_SPI_TE

LCDC_TCON_GDSP

LCDC_8080_TE

LCDC_DPI_CLK

LCDC_IF1

LCDC_SPI_RSTB

LCDC_TCON_GDCLK

LCDC_8080_RSTB

LCDC_DPI_HSYNC

LCDC_IF2

LCDC_SPI_CS

LCDC_TCON_SDCLK

LCDC_8080_CS

LCDC_DPI_VSYNC

LCDC_IF3

LCDC_SPI_CLK

LCDC_TCON_SDSTL

LCDC_8080_WR

LCDC_DPI_DE

LCDC_IF4

LCDC_TCON_SDLE

LCDC_8080_RD

LCDC_DPI_SD

LCDC_IF5

LCDC_TCON_SDOE

LCDC_8080_DC

LCDC_DPI_CM

LCDC_IF6

LCDC_SPI_DIO0

LCDC_TCON_SDAT0

LCDC_8080_DIO0

LCDC_DPI_R0

LCDC_IF7

LCDC_SPI_DIO1

LCDC_TCON_SDAT1

LCDC_8080_DIO1

LCDC_DPI_R1

LCDC_IF8

LCDC_SPI_DIO2

LCDC_TCON_SDAT2

LCDC_8080_DIO2

LCDC_DPI_R2

LCDC_IF9

LCDC_SPI_DIO3

LCDC_TCON_SDAT3

LCDC_8080_DIO3

LCDC_DPI_R3

LCDC_IF10

LCDC_JDI_SCS

LCDC_TCON_SDAT4

LCDC_8080_DIO4

LCDC_DPI_R4

LCDC_IF11

LCDC_JDI_SCLK

LCDC_TCON_SDAT5

LCDC_8080_DIO5

LCDC_DPI_R5

LCDC_IF12

LCDC_JDI_SO

LCDC_TCON_SDAT6

LCDC_8080_DIO6

LCDC_DPI_R6

LCDC_IF13

LCDC_JDI_DISP

LCDC_TCON_SDAT7

LCDC_8080_DIO7

LCDC_DPI_R7

LCDC_IF14

LCDC_JDI_EXTCOMIN

LCDC_TCON_SDAT8

LCDC_8080_DIO8

LCDC_DPI_G0

LCDC_IF15

LCDC_TCON_SDAT9

LCDC_8080_DIO9

LCDC_DPI_G1

LCDC_IF16

LCDC_TCON_SDAT10

LCDC_8080_DIO10

LCDC_DPI_G2

LCDC_IF17

LCDC_TCON_SDAT11

LCDC_8080_DIO11

LCDC_DPI_G3

LCDC_IF18

LCDC_JDI_VCK

LCDC_TCON_SDAT12

LCDC_8080_DIO12

LCDC_DPI_G4

LCDC_IF19

LCDC_JDI_XRST

LCDC_TCON_SDAT13

LCDC_8080_DIO13

LCDC_DPI_G5

LCDC_IF20

LCDC_JDI_HCK

LCDC_TCON_SDAT14

LCDC_8080_DIO14

LCDC_DPI_G6

LCDC_IF21

LCDC_JDI_HST

LCDC_TCON_SDAT15

LCDC_8080_DIO15

LCDC_DPI_G7

LCDC_IF22

LCDC_JDI_ENB

LCDC_8080_RWN

LCDC_DPI_B0

LCDC_IF23

LCDC_JDI_VST

LCDC_8080_CS2

LCDC_DPI_B1

LCDC_IF24

LCDC_JDI_R1

LCDC_DPI_B2

LCDC_IF25

LCDC_JDI_G1

LCDC_DPI_B3

LCDC_IF26

LCDC_JDI_B1

LCDC_DPI_B4

LCDC_IF27

LCDC_JDI_R2

LCDC_DPI_B5

LCDC_IF28

LCDC_JDI_G2

LCDC_DPI_B6

LCDC_IF29

LCDC_JDI_B2

LCDC_DPI_B7

备注

  • 模拟信号仅可通过 IO MUX 表中 function 0 ~ 15 进行配置;

  • 仅 PA11 ~ PA17 和 SB01 ~ SB09 引脚支持 MPI 接口;

  • 设备进入睡眠模式后,仅有 PA24 ~ PA27 引脚可正常输出信号;

  • PA18、PA19 为专用调试引脚,支持 DBG-UART 与 SWD 调试功能;

  • PA43、PA44 作为备用调试引脚,仅支持 SWD 调试功能;

  • 可通过 PA00、PA01 引脚配置设备下载模式并完成 SWD 功能切换,具体说明参见文档 2.9 章节。

2.7.多媒体

2.7.1.显示接口

芯片支持3-Line SPI、4-Line SPI、Dual data SPI、Quad data SPI、16bit RGB、16bit MCU 8080、16bit EPD电子纸和串并行JDI接口。 显示色彩深度支持 RGB888(1670 万色)、RGB666(262K 色)、RGB565(65K 色)及 RGB111(8 色)模式,最高支持1024RGBx1024分辨率。 LCD driver支持列表如表2-7-1-1所示:

表2-7-1-1 LCD driver支持列表

型号

厂家

分辨率

类型

接口

RM69090

Raydium

368*448

Amoled

3-Line SPI,4-Line SPI,Dual data SPI, Quad data SPI,MIPI-DSI

RM69330

Raydium

454*454

Amoled

3-Line SPI,4-Line SPI,Dual data SPI, Quad data SPI,8-bits 8080-Series MCU ,MIPI-DSI

ILI8688E

ILITEK

368*448

Amoled

Quad data SPI,MIPI-DSI

SH8601A

晟合技术

454*454

Amoled

3-Line SPI,4-Line SPI,Dual data SPI, Quad data SPI,8-bits 8080-Series MCU ,MIPI-DSI

SPD2012

Solomon

356*400

TFT

Quad data SPI

GC9C01

Galaxycore

360*360

TFT

Quad data SPI

GC9B71

Galaxycore

320*380

TFT

Quad data SPI

ST77903

Sitronix

400*400

TFT

Quad data SPI

ICNA3311

Chipone

454*454

Amoled

Quad data SPI

FT2308

FocalTech

410*494

Amoled

Quad data SPI

2.7.1.1.SPI/QSPI显示接口

芯片支持 3/4-wire SPI 和 Quad-SPI 显示屏接口,各接口信号的接线方式可参见 表2-7-1-1-1 所示:

表2-7-1-1-1 SPI/QSPI 显示屏信号接线表

SPI Panel Sig

57x Sig Name

Description

CSx

LCDC1_SPI_CS

Chip select signal

WRx_SCL

LCDC1_SPI_CLK

Clock signal

DCx

LCDC1_SPI_DIO1

Data/command select signal in 4-wire SPI mode; DATA1 in Quad-SPI mode

SDI_RDx

LCDC1_SPI_DIO0

Data input signal in 3/4-wire SPI mode; DATA0 in Quad‑SPI mode

SDO

LCDC1_SPI_DIO0

Data output signal in 3/4-wire SPI mode; connect this pin to SDI_RDx with a short wire

D[0]

LCDC1_SPI_DIO2

DATA2 in Quad‑SPI mode

D[1]

LCDC1_SPI_DIO3

DATA3 in Quad‑SPI mode

RESET

LCDC1_SPI_RSTB

Reset signal

TE

LCDC1_SPI_TE

Tearing effect to MCU frame signal

备注

  • 优先使用 表2-6-1 里 function1 里的专用 LCDC1_SPI_* 复用信号管脚;

  • 若使用 matrix table 映射表里 function index 121 ~ 150 的SPI mode 复用信号管脚时,时钟要限制到50MHz以内;

  • GPIO的驱动能力配置参数设置为DS1 = 0, DS0 = 1。

2.7.1.2.RGB 显示接口

芯片支持 RGB888、RGB565 两种类型的 RGB 显示屏接口,各接口信号的接线方式可参见 表2-7-1-2-1 所示:

表2-7-1-2-1 RGB显示屏信号接线表

RGB888 Panel Sig

RGB565 Panel Sig

57x Sig Name

Description

CLK

CLK

LCDC_DPI_CLK

Clock Signal

DE

DE

LCDC_DPI_DE

Data Enable signal when DE mode

HSYNC

HSYNC

LCDC_DPI_HSYNC

Horizontal sync signal

VSYNC

VSYNC

LCDC_DPI_VSYNC

Vertical sync signal

R0

-

LCDC_DPI_R0

Red data 0

R1

-

LCDC_DPI_R1

Red data 1

R2

-

LCDC_DPI_R2

Red data 2

R3

R0

LCDC_DPI_R3

Red data 3

R4

R1

LCDC_DPI_R4

Red data 4

R5

R2

LCDC_DPI_R5

Red data 5

R6

R3

LCDC_DPI_R6

Red data 6

R7

R4

LCDC_DPI_R7

Red data 7

G0

-

LCDC_DPI_G0

Green data 0

G1

-

LCDC_DPI_G1

Green data 1

G2

G0

LCDC_DPI_G2

Green data 2

G3

G1

LCDC_DPI_G3

Green data 3

G4

G2

LCDC_DPI_G4

Green data 4

G5

G3

LCDC_DPI_G5

Green data 5

G6

G4

LCDC_DPI_G6

Green data 6

G7

G5

LCDC_DPI_G7

Green data 7

B0

-

LCDC_DPI_B0

Blue data 0

B1

-

LCDC_DPI_B1

Blue data 1

B2

-

LCDC_DPI_B2

Blue data 2

B3

B0

LCDC_DPI_B3

Blue data 3

B4

B1

LCDC_DPI_B4

Blue data 4

B5

B2

LCDC_DPI_B5

Blue data 5

B6

B3

LCDC_DPI_B6

Blue data 6

B7

B4

LCDC_DPI_B7

Blue data 7

表2-7-1-2-2 RGB 模式配置表

mode

0(rgb565 conf1)

1(rgb565 conf2)

2(rgb565 conf3)

3(rgb666 conf1)

4(rgb666 conf2)

5(rgb888)

6(rgb666 over 8bit)

7(rgb888 over 8bit)

LCDC_IF0

B0

B0

B0

B0

B0

R0/G0/B0

R0/G0/B0

LCDC_IF1

B1

B1

B0

B1

B1

B1

R1/G1/B1

R1/G1/B1

LCDC_IF2

B2

B2

B1

B2

B2

B2

R2/G2/B2

R2/G2/B2

LCDC_IF3

B3

B3

B2

B3

B3

B3

R3/G3/B3

R3/G3/B3

LCDC_IF4

B4

B4

B3

B4

B4

B4

R4/G4/B4

R4/G4/B4

LCDC_IF5

G0

B4

B5

B5

B5

R5/G5/B5

R5/G5/B5

LCDC_IF6

G1

G0

B6

R6/G6/B6

LCDC_IF7

G2

G1

B7

R7/G7/B7

LCDC_IF8

G3

G0

G0

G2

G0

G0

LCDC_IF9

G4

G1

G1

G3

G1

G1

LCDC_IF10

G5

G2

G2

G4

G2

G2

LCDC_IF11

R0

G3

G3

G5

G3

G3

LCDC_IF12

R1

G4

G4

R0

G4

G4

LCDC_IF13

R2

G5

G5

R1

G5

G5

LCDC_IF14

R3

R2

G6

LCDC_IF15

R4

R3

G7

LCDC_IF16

R0

R4

R0

R0

LCDC_IF17

R1

R0

R5

R1

R1

LCDC_IF18

R2

R1

R2

R2

LCDC_IF19

R3

R2

R3

R3

LCDC_IF20

R4

R3

R4

R4

LCDC_IF21

R4

R5

R5

LCDC_IF22

R6

LCDC_IF23

R7

LCDC_IF24

LCDC_IF25

LCDC_IF26

LCDC_IF27

LCDC_IF28

LCDC_IF29

2.7.1.3.MCU 显示接口

芯片支持 8/16bit MCU8080 显示屏接口,各接口信号的接线方式可参见表2-7-1-3-1所示:

表2-7-1-3-1 MCU8080 显示屏信号接线表

MCU8080 16bit Panel Sig

MCU8080 8bit Panel Sig

57x Sig Name

Description

CSX

CSX

LCDC_8080_CS

Chip select

WR

WR

LCDC_8080_WR

Writes strobe signal to write data

DC

DC

LCDC_8080_DC

Display data / command selection

RD

RD

LCDC_8080_RD

Reads strobe signal to write data

D[0]

D[0]

LCDC_8080_DIO0

Data 0

D[1]

D[1]

LCDC_8080_DIO1

Data 1

D[2]

D[2]

LCDC_8080_DIO2

Data 2

D[3]

D[3]

LCDC_8080_DIO3

Data 3

D[4]

D[4]

LCDC_8080_DIO4

Data 4

D[5]

D[5]

LCDC_8080_DIO5

Data 5

D[6]

D[6]

LCDC_8080_DIO6

Data 6

D[7]

D[7]

LCDC_8080_DIO7

Data 7

D[8]

-

LCDC_8080_DIO8

Data 8

D[9]

-

LCDC_8080_DIO9

Data 9

D[10]

-

LCDC_8080_DIO10

Data 10

D[11]

-

LCDC_8080_DIO11

Data 11

D[12]

-

LCDC_8080_DIO12

Data 12

D[13]

-

LCDC_8080_DIO13

Data 13

D[14]

-

LCDC_8080_DIO14

Data 14

D[15]

-

LCDC_8080_DIO15

Data 15

RESET

RESET

LCDC_8080_RSTB

Reset

TE

TE

LCDC_8080_TE

Tearing effect to MCU frame signal

2.7.1.4.EPD 电子纸显示接口

芯片支持 8/16bit 并口 EPD 电子纸显示屏接口,各接口信号的接线方式可参见表2-7-1-4-1所示:

表2-7-1-4-1 EPD 电子纸显示屏信号接线表

EPD 16bit Panel Sig

EPD 8bit Panel Sig

57x Sig Name

Description

CLK

CLK

LCDC_TCON_SDCLK

Clock source driver

CKV/CPV

CKV/CPV

LCDC_TCON_GDCLK

Clock gate driver

SPH

SPH

LCDC_TCON_SDSTL

Start pulse source driver

SPV/STV

SPV/STV

LCDC_TCON_GDSP

Start pulse gate driver

LE

LE

LCDC_TCON_SDLE

Latch enable source driver

OE

OE

LCDC_TCON_SDOE

Output enable source driver

D0

D0

LCDC_TCON_SDAT0

Data signal source driver bit0

D1

D1

LCDC_TCON_SDAT1

Data signal source driver bit1

D2

D2

LCDC_TCON_SDAT2

Data signal source driver bit2

D3

D3

LCDC_TCON_SDAT3

Data signal source driver bit3

D4

D4

LCDC_TCON_SDAT4

Data signal source driver bit4

D5

D5

LCDC_TCON_SDAT5

Data signal source driver bit5

D6

D6

LCDC_TCON_SDAT6

Data signal source driver bit6

D7

D7

LCDC_TCON_SDAT7

Data signal source driver bit7

D8

D8

LCDC_TCON_SDAT8

Data signal source driver bit8

D9

-

LCDC_TCON_SDAT9

Data signal source driver bit9

D10

-

LCDC_TCON_SDAT10

Data signal source driver bit10

D11

-

LCDC_TCON_SDAT11

Data signal source driver bit11

D12

-

LCDC_TCON_SDAT12

Data signal source driver bit12

D13

-

LCDC_TCON_SDAT13

Data signal source driver bit13

D14

-

LCDC_TCON_SDAT14

Data signal source driver bit14

D15

-

LCDC_TCON_SDAT15

Data signal source driver bit15

GMODE

GMODE

Any GPIO

Output mode selection gate driver

VPOS

VPOS

-

EPD PMIC Sig , Positive power supply source driver

VNEG

VNEG

-

EPD PMIC Sig , Negative power supply source driver

VGH

VGH

-

EPD PMIC Sig , Positive power supply gate driver

VGL

VGL

-

EPD PMIC Sig , Negative power supply gate driver

VCOM

VCOM

-

EPD PMIC Sig , Common connection

WAKEUP

WAKEUP

Any GPIO

EPD PMIC wake up

PWRUP

PWRUP

Any GPIO

EPD PMIC power up

I2C_SDA

I2C_SDA

Any GPIO

EPD PMIC I2C sda

I2C_SCL

I2C_SCL

Any GPIO

EPD PMIC I2C scl

PWRCOM

PWRCOM

Any GPIO

EPD PMIC VCOM_CTRL,vcom enable

GOOD

GOOD

Any GPIO

EPD PMIC power good output

备注

RGB、MCU8080、电子墨水屏(EPD)接口 GPIO 选型设计要点:

  • 信号速率低于 30MHz 时,全部引脚均可配置为 LCDC 相关信号;

  • 信号速率高于 30MHz 时,矩阵映射分配的 LCDC 信号可选用 PA22~PA50 任意引脚;PA52~PA54 引脚仅可分配 B1~B6 信号;

  • GPIO 驱动能力统一配置为:DS1 = 0, DS0 = 1。

2.7.1.5.JDI 显示接口

芯片支持 JDI 显示屏接口,各接口信号的接线方式可参见 表2-7-1-5-1 和 表2-7-1-5-2 所示:

表2-7-1-5-1 并口 JDI 屏信号接线表

Parallel JDI Panel Sig

57x Sig Name

Description

VST/GSP

LCDC_JDI_VST

Start signal for the vertical driver

ENB/GEN

LCDC_JDI_ENB

Write enable signal for the pixel memory

FRP/VA

#LPTIM2_OUTB

Liquid crystal driving signal (“Off” pixel)

HST/BSP

LCDC_JDI_HST

Start signal for the horizontal driver

R1

LCDC_JDI_R1

Red image data (odd pixels)

G1

LCDC_JDI_G1

Green image data (odd pixels)

B1

LCDC_JDI_B1

Blue image data (odd pixels)

VCOM

#LPTIM2_OUT

Common electrode driving signal

B2

LCDC_JDI_B2

Blue image data (even pixels)

G2

LCDC_JDI_G2

Green image data (even pixels)

R2

LCDC_JDI_R2

Red image data (even pixels)

HCK/BCK

LCDC_JDI_HCK

Shift clock for the horizontal driver

XFRP/VB

#LPTIM2_OUT

Liquid crystal driving signal (“On” pixel)

XRST/INTB

LCDC_JDI_XRST

Reset signal for the horizontal and vertical driver

VCK/GCK

LCDC_JDI_VCK

Shift clock for the vertical driver

表2-7-1-5-2 串口 JDI 屏信号接线表

Serial JDI Panel Sig

57x Sig Name

Description

SCLK

LCDC_JDI_SCLK

Serial Clock Signal

SI

LCDC_JDI_SO

Serial Data Input Signal

SCS

LCDC_JDI_SCS

Chip Select Signal

EXTCOMIN

LCDC_JDI_EXTCOMIN

COM Inversion Polarity Input

DISP

LCDC_JDI_DISP

Display ON/OFF Switching Signal

2.7.2.触摸和背光接口

芯片支持 I2C 通信方式的触摸屏控制接口以及可用于系统唤醒的触摸状态中断输入;同时可提供 1 路 PWM 信号,用于背光电源开关控制与背光亮度调节,具体参数与引脚配置详见表2-7-2-1:

表2-7-2-1 触摸和背光信号接线表

CTP Panel Sig

57x Sig Name

Description

Interrupt

Any GPIO

Touch Status Interrupt Signal (Wake-up Capable)

I2C1_SCL

Any GPIO

Touch Screen I2C Clock Signal

I2C1_SDA

Any GPIO

Touch Screen I2C Data Signal

BL_PWM

Any GPIO

Backlight PWM Control Signal

Reset

Any GPIO

Reset Signal

2.7.3.音频

芯片音频接口规格:

  • 提供 2 路模拟 ADC 输入,支持差分、单端两种输入方式,可外接模拟麦克风;

  • 提供 1 路差分模拟 DAC 输出,需搭配音频功放,用于驱动扬声器或耳机;

  • 集成 2 路 PDM 数字麦克风控制器,最多可同时挂载 4 路数字麦克风。

表2-7-3-1 音频信号连接方式

Audio Sig

57x Sig Name

Description

MIC_BIAS

PA56

Microphone Power Supply

ADC1P

PA55

Single-ended Analog Microphone Signal, Differential Analog Microphone Positive Signal

ADC1N

PA09

Differential Analog Microphone Negative Signal

ADC2P

PA10

Single-ended Analog Microphone Signal, Differential Analog Microphone Positive Signal

ADC2N

PA11

Differential Analog Microphone Negative Signal

PDM1_CLK

Any GPIO

PDM Clock Signal

PDM1_DATA

Any GPIO

PDM Data Signal

PDM2_CLK

Any GPIO

PDM Clock Signal

PDM2_DATA

Any GPIO

PDM Data Signal

DAC1P

DACP

Differential Analog Audio Output Positive Signal

DAC1N

DACN

Differential Analog Audio Output Negative Signal

模拟麦克风参考设计电路参见图2-7-3-1,PDM 数字麦克风参考设计电路参见图2-7-3-2。

../_images/SF32LB57x-Analog-MIC.png
图2-7-3-1 模拟 MIC单端输入电路图


../_images/SF32LB57x-PDM-MIC.png
图2-7-3-2 PDM 数字MIC输入电路图


模拟音频输出可参考 图2-7-3-3 所示推荐电路进行设计,需注意:虚线框内的差分低通滤波器必须靠近芯片引脚端布局,以此抑制高频干扰,提升音频输出信噪比。

../_images/SF32LB57x-DAC-PA.png
图2-7-3-3 模拟音频PA电路图


2.7.4.摄像头

芯片摄像头接口规格:

  • 最高 16bits DVP接口摄像头;

  • 2 data 和 4 data SPI接口摄像头。

表2-7-4-1 摄像头接口信号接线表

GC032A SPI4

GC032A DVP8

GC2145 DVP8

OV2640 DVP10

57x Sig Name

Description

SBDA

SBDA

SIO-D

SIO-D

Any GPIO

I2C Data Signal

SBCL

SBCL

SIO-C

SIO-C

Any GPIO

I2C Clock Signal

RESET

RESET

RESET

RESET

Any GPIO

Reset Signal output

NC

VSYNC

VSYNC

VSYNC

DCMI_VSYNC

Vertical synchronization Signal input

PWDN

PWDN

PWDN

PWDN

Any GPIO

Power Down Signal (active high) output

NC

HSYNC

HREF

HREF

DCMI_HSYNC

Horizontal synchronization Signal input

NC

D7

D7

Y9

DCMI_DI7

YUV/RGB video port bit [7] input

MCLK

MCLK

MCLK

MCLK

Any GPIO(GPTIM)

System clock output

NC

D6

D6

Y8

DCMI_DI6

YUV/RGB video port bit [6] input

NC

D5

D5

Y7

DCMI_DI5

YUV/RGB video port bit [5] input

SCK

PCLK/SCK

PCLK

PCLK

DCMI_CLK

Pixel clock input

NC

D4

D4

Y6

DCMI_DI4

YUV/RGB video port bit [4] input

SD0

D0

D0

Y2

DCMI_DI0

YUV/RGB video port bit [0] input

SD3

D3

D3

Y5

DCMI_DI3

YUV/RGB video port bit [3] input

SD1

D1

D1

Y3

DCMI_DI1

YUV/RGB video port bit [1] input

SD2

D2

D2

Y4

DCMI_DI2

YUV/RGB video port bit [2] input

NC

NC

NC

Y1

NC

-

NC

NC

NC

Y0

NC

-

备注

为节约 GPIO 引脚资源,10 位 DVP 摄像头建议采用 8 位模式进行硬件连接;若硬件 GPIO 资源充裕,可将数据引脚一对一完整对接使用。

2.8.通用接口

2.8.1.按键

2.8.1.1.开关机按键

芯片 PA34 引脚支持长按复位,可复用为开关机按键实现开关机与长按复位功能;该引脚长按复位为高电平有效,硬件默认下拉至低电平,按下按键后引脚置高,电路设计参考图2-8-1-2-1。

2.8.1.2.GPADC 按键

芯片支持 GPADC 电阻分压式按键设计,依靠不同分压电压区分按键,需在靠近引脚位置放置 0.1μF 对地滤波电容来提升采样精度,电路可参考图2-8-1-2-1。

../_images/SF32LB57x-PWKEY.png
图2-8-1-2-1 开关机及GPADC按键电路图


2.8.2.UART

芯片提供三组 UART 接口,均支持全双工模式,提供高达 6Mbps 的波特率和多种可配置的数据格式,引脚复用分配详见表2-6-2,可选用 Function 0 ~ 15 范围内的复用引脚,也可通过 matrix table 配置表将 UART 功能灵活映射至任意 GPIO 引脚。

备注

  • PA18、PA19 为默认调试串口 DBG-UART 引脚,上电自动配置为 USART1 接收、发送引脚;

  • 若需预留频繁插拔的 UART 测试接口,推荐选用 PA18、PA19、PA43、PA44 引脚,该组 GPIO 最高耐压可达 5.5V,可避免过电应力损坏 IO 口;

  • 测试引线较长时,需在信号线上串联 100Ω 电阻抑制信号过冲。

2.8.3.I2C

芯片提供四组 I2C 接口,均支持主机、从机两种工作模式,引脚复用分配详见表2-6-2,通过 matrix table 配置表可以将 I2C 功能灵活映射至任意 GPIO 引脚。

备注

  • I2C 信号为开漏双向总线,必须接外部上拉电阻:

    • 标准模式(Sm:100kHz):推荐 4.7kΩ

    • 快速模式(Fm:400kHz):推荐 2.2kΩ ~ 3.3kΩ

    • 高速模式(Fm+:1MHz):推荐 1kΩ ~ 2.2kΩ

  • 一组 I2C 总线上接多个从设备,只需在靠近主机位置放置一组上拉电阻,不需要每个从设备都上拉,且各从设备的设备地址要区分开。

2.8.4.SPI

芯片提供两组 SPI 接口,均支持主机、从机两种工作模式,引脚复用分配详见表2-6-1,可选用 Function 0 ~ 15 范围内的复用引脚,也可通过 matrix table 配置表将 SPI 功能灵活映射至任意 GPIO 引脚。

备注

  • 当 SPI 时钟低于 30MHz 时,可以通过 matrix table 配置表将 SPI 功能灵活映射至任意 GPIO 引脚;

  • 当 SPI 时钟高于 30MHz 时,优先使用 Function 0 ~ 15 范围内的复用引脚。

  • 靠近驱动端串接 22~27Ω 电阻,时钟信号线预留对地电容封装位,用于抑制高速信号产生的振铃与过冲现象,优化接口信号完整性。

2.8.5.SDIO

芯片内置两路 SD/MMC 主机控制器,仅可作为主机使用,不支持从机模式;该控制器可外接 SD 卡、SDIO 外设以及 eMMC 存储芯片。

SDIO 相关信号通过引脚复用器固定映射至对应 GPIO 引脚,详细的引脚复用配置可查阅 表2-6-1。

备注

  • 当 SDIO 时钟配置为 24MHz 时,可依靠芯片 GPIO 内部上拉,CMD、Data0~Data3 引脚无需额外添加外部上拉电阻;

  • 当 SDIO 时钟配置为 48MHz 及以上高频时,需在 CMD、Data0~Data3 引脚外接 10kΩ 上拉电阻;

  • 所有 SDIO 信号线均需串联 27Ω~33Ω 限流电阻;时钟信号线预留对地电容封装位,用于抑制高速信号产生的振铃与过冲现象,优化接口信号完整性;

  • 外接 TF 卡座场景:卡检测 DET 引脚需外接 10kΩ 电阻上拉至 3.3V,对应 MCU 引脚配置为内部上拉输入模式;

  • 外接 TF 卡座时,SDIO 信号线与供电电源回路必须增加 ESD 防护器件,提升静电防护能力。

2.8.6.USB

芯片内置一路 USB2.0 FS 控制器,相关信号的硬件连接参考表2-8-6-1。

表2-8-6-1 USB 引脚分配表

USB Sig

GPIO PIN

USB_DP

PA35

USB_DM

PA36

备注

  • 默认引脚分配:PA36 为 USB_DM(D-)、PA35 为 USB_DP(D+),该组引脚不支持功能重映射;

  • 最高通信速率为 USB2.0 全速模式(FS,12Mbps);

  • 接口采用 3.3V 单端电平标准;

  • 芯片内置识别电阻,可通过软件配置 USB 工作模式,自动在 DP 或 DM 引脚接入 1.5kΩ 上拉电阻,以此识别接入设备为全速设备或低速设备。

  • 在 USB_DP、USB_DM 信号线上建议预留串联电阻,推荐初始取值 22Ω 或 33Ω;同时预留对地电容位,该电容可先不贴装。上述阻容元件需靠近芯片引脚端布局,用来抑制信号反射、改善信号完整性;

  • USB_DP 与 USB_DM 两条差分信号线必须设计 ESD 防护电路,用来抵御静电浪涌冲击,防止芯片内部 USB 控制器因静电损坏,保障接口工作可靠性。

2.8.7.CAN

芯片提供两组 CAN 接口,均兼容 CAN 2.0b 规范,引脚复用分配详见表2-6-2,通过 matrix table 配置表可以将 CAN 功能灵活映射至任意 GPIO 引脚。

2.8.9.GPADC

GPADC 功能所对应的 GPIO 引脚分配详情参见表2-8-9-1

表2-8-9-1 GPADC 引脚分配表

GPIO PIN

ADC Function

PA28

#GPADC_CH0

PA29

#GPADC_CH1

PA30

#GPADC_CH2

PA31

#GPADC_CH3

PA32

#GPADC_CH4

PA33

#GPADC_CH5

PA34

#GPADC_CH6

PA35

#GPADC_CH7

PA36

#GPADC_CH8

PA37

#GPADC_CH9

PA38

#GPADC_CH10

VBAT/VBATS

#GPADC_CH11,该引脚隶属于电池电压域,其电压测试量程与通用 GPADC 引脚存在差异。

使用 ADC 功能时,请靠近管脚添加 0.1 μF 的对地滤波电容,精度会更准确一些。

2.9.调试和下载接口

芯片支持 DBG-UART 与 SWD 两种单步调试方式,PA18、PA19 为默认 DBG-UART 调试引脚,PA43、PA44 为默认 SWD 调试引脚,SWD 功能也可复用至 PA18、PA19 引脚。

表2-9-1 默认调试口连接方式

Debug Sig

Pin

Net Name

DBG_UART_RXD

PA18

USART1_RXD

DBG_UART_TXD

PA19

USART1_TXD

SWD_CLK

PA43

SWCLK

SWD_DIO

PA44

SWDIO

芯片共支持 DBG-UART、SWD、普通 UART、USB 四种程序下载方式;常规启动模式下仅可通过 DBG-UART、SWD 接口完成程序下载,BOOT 启动模式可启用全部四种下载接口,具体启动方式配置方法及各模式对应的下载接口参数设置,请详见’表2-9-2’。

表2-9-2 启动方式和下载口信息表

PA00

BOOT REG

PA01

上位机BOOT开关

启动分支

L

L

H

任意

常规启动,PA19不输出启动信息,PA18/PA19由DBG-UART切换到SWD,PA43/PA44的SWD功能失效

L

L

L

关闭

常规启动,PA19输出启动信息,PA18/PA19是DBG-UART,PA43/PA44是SWD

L

L

L

开启

BOOT MODE,PA19输出启动信息,支持DBG-UART/SWD/UART/USB烧录,PA18/PA19是DBG-UART,PA43/PA44是SWD

PA00和BOOT寄存器任何一项为1

PA00和BOOT寄存器任何一项为1

L

任意

BOOT MODE,PA19输出启动信息,支持DBG-UART/SWD/UART/USB烧录,PA18/PA19是DBG-UART,PA43/PA44是SWD

PA00和BOOT寄存器任何一项为1

PA00和BOOT寄存器任何一项为1

H

任意

BOOT MODE,PA19不输出启动信息,支持SWD/USB烧录,PA18/PA19由DBG-UART切换到SWD,PA43/PA44的SWD功能失效

下载工具参考 软硬件工具汇总

2.10.产线烧录和晶体校准

思澈科技提供脱机下载器来完成产线程序的烧录和晶体校准,硬件设计时,请注意至少预留测试点:VBAT、PVDD、GND、AVDD33、DB_UART_RXD、DB_UART_RXD、PA00 和 PA01。

详细的烧录和晶体校准参考 软硬件工具汇总。

2.11.最小系统原理图

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图2-11-1 QFN68L 电池供电系列芯片最小系统原理图


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图2-11-2 QFN68L 3.3V供电系列芯片最小系统原理图


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图2-11-3 QFN80L 电池供电系列芯片最小系统原理图


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图2-11-4 QFN80L 3.3V供电系列芯片最小系统原理图


3.PCB设计指导

3.1.PCB基础设置

3.1.1.封装设计

SF32LB57x系列芯片的QFN68L封装尺寸:7mmX7mm;管脚数:68;PIN 间距:0.35mm。 封装尺寸、PCB 焊盘和钢网设计尺寸参考图3-1-1-1 ~ 图3-1-1-4。

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图3-1-1-1 QFN68L-7x7-0.9mm封装尺寸图


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图3-1-1-2 QFN68L-7x7-1.1mm封装尺寸图


../_images/SF32LB57x-QFN68L-LAND-PATTERN.svg
图3-1-1-3 QFN68L封装PCB焊盘设计参考图


../_images/SF32LB57x-QFN68L-PASTE.svg
图3-1-1-4 QFN68L封装PCB钢网设计参考图


SF32LB57x系列芯片的QFN80L封装尺寸:8mmX8mm;管脚数:80;PIN 间距:0.35mm。 封装尺寸、PCB 焊盘和钢网设计尺寸参考图3-1-1-5 ~ 图3-1-1-8。

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图3-1-1-5 QFN80L-8x8-0.9mm封装尺寸图


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图3-1-1-6 QFN80L-8x8-1.1mm封装尺寸图


../_images/SF32LB57x-QFN80L-LAND-PATTERN.svg
图3-1-1-7 QFN80L封装PCB焊盘设计参考图


../_images/SF32LB57x-QFN80L-PASTE.svg
图3-1-1-8 QFN80L封装PCB钢网设计参考图


3.1.2.叠层设计

SF32LB57x QFN 系列芯片支持单双面 PCB 布局,元器件可全部放置在单面,也可将电容等器件布置于芯片背面。PCB 支持 PTH 通孔工艺,建议选用 4 层 PTH 板材,推荐叠层结构详见图 3-1-2-1 和 图 3-1-2-2。

../_images/SF32LB57x-QFN-PCB-1P6-STACK.png
图3-1-2-1 QFN封装板厚1.6mm PCB参考叠层结构图


../_images/SF32LB57x-QFN-PCB-0P8-STACK.png
图3-1-2-2 QFN封装板厚0.8mm PCB参考叠层结构图


四层 PCB 叠层设计要求:

  • 第一层(顶层):整层铺地铜,主要用于元器件摆放与信号走线。

  • 第二层(地层):完整地平面铺铜,不布设任何信号线,保证参考地的完整性。

  • 第三层(电源层):可铺铜分割各类电源区域,既用来布设电源线路,也允许走信号线。

  • 第四层(底层):整层铺地铜,可布设各类信号线。

3.1.3.通用设计规则

PTH 工艺 PCB 需按照图3-1-3-1 执行通用线宽、线距设计规范,过孔相关设计参数与布局要求参照图3-1-3-2 执行。

../_images/SF32LB57x-PTH-PCB-RULE.png
图3-1-3-1 PTH 板通用设计规则


../_images/SF32LB57x-PTH-PCB-VIA.png
图3-1-3-2 PTH 板VIA设计规则


HDI 工艺 PCB 需按照图3-1-3-3 执行通用线宽、线距设计规范,过孔相关设计参数与布局要求参照图3-1-3-4 执行。

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图3-1-3-3 HDI 板通用设计规则


../_images/SF32LB57x-HDI-PCB-VIA.png
图3-1-3-4 HDI 板通用设计规则


3.1.4.走线扇出

QFN68、QFN80 封装信号扇出,参考图3-1-4-1 ~ 图3-1-4-3。

../_images/SF32LB57x-QFN68-PCB-FANOUT.png
图3-1-4-1 QFN68 表层扇出参考图


../_images/SF32LB57x-QFN80-PCB-FANOUT.png
图3-1-4-2 QFN80 表层扇出参考图


3.2.电源

3.2.1.主电源

VCC 与 PVDD 是芯片内置 PMU 模块的电源输入引脚,二者配套电容必须就近放置,电源走线宽度不小于 0.4mm,仅对 VCC 做电路图示,PVDD 参照同等规则设计即可。

../_images/SF32LB57x-QFN-PCB-VCC.png
图3-2-1-1 QFN封装 VCC 电源走线图


VDD_VOUT1、VDD_VOUT2、VDD_RET、VDD_RTC、VDD18_VOUT、VDD33_VOUT1、VDD33_VOUT2、AVDD33_AUD、AVDD_BRF 等引脚的滤波电容需就近布置,电源线需依据输入电流设计为短粗走线,降低电源纹波,提升系统工作稳定性。

重要

PVDD、AVDD_BRF、AVDD33、AVDD33_AUD 共用一路电源时,需采用星型布线方式,从电源源头各自独立引出走线分别供电,禁止共用一段前置电源线。

3.2.2.充电电路走线

VBUS、VBAT 为芯片内置充电模块的输入、输出引脚,二者滤波电容需就近摆放;因充电回路电流较大,引脚走线宽度至少 0.4mm,敏感信号线不可与其平行布线,走线采用星形布局,不与其他线路共用路径,防止充电过程对其他电路造成干扰。

../_images/SF32LB57x-QFN-PCB-CHG.png
图3-2-2-1 QFN封装 VBUS&VBAT 电源走线图


3.2.3.DCDC电路

DC-DC 电路的功率电感与滤波电容需紧贴芯片引脚放置,BUCK_LX 走线短而粗以减小功率回路电感,BUCK_FB 反馈走线宽度需大于 0.25mm;所有 DC-DC 输出滤波电容接地端多打接地过孔连接主地平面,功率电感所在表层禁止铺铜,相邻层需设置完整参考地平面,且不允许其他信号线从电感区域布线。

../_images/SF32LB57x-QFN-PCB-DCDC.png
图3-2-3-1 QFN封装 DCDC 电源走线图


3.3.时钟接口走线

晶体设计应遵循以下规范:

  • 地平面要求

    • 射频电路、晶体区域、主控芯片下方必须保留完整连续的参考地平面,禁止地平面分割、开槽破坏地完整性。

  • 晶体布局间距要求

    • 晶体器件需与芯片时钟引脚保持至少1.5mm间距,避免近距离耦合造成时钟干扰、频偏异常;

    • 晶体距 PCB 板框大于 1mm,且与 PA、充电、PMU 等大功率发热器件间距不小于 5mm,避免温升造成频偏。

  • 晶体走线规则

    • 晶体 XI/XO 时钟走线仅允许在顶层布设,禁止换层打孔布线;

    • 在 PCB 顶层的晶体外围划定禁止铺铜区域,将晶体器件与周边接地铜皮做隔离处理,一方面能够有效减小线路寄生电容,另一方面可阻隔热量传导,避免温度变化引发晶体频偏,保障时钟频率稳定性;

    • 时钟线路全程立体包地处理,线路两侧密集布置接地过孔做屏蔽隔离;

    • 走线两侧电源过孔需尽量远离时钟信号线,最大化保证包地屏蔽效果。

  • 外围器件布局规范

    • 晶体两端对地负载电容布置在晶体两侧,放置于时钟走线靠近晶体的末端位置;电容接地焊盘就近连接晶体地焊盘,缩短接地路径。

  • 区域屏蔽与禁布要求

    • 晶体正下方区域禁止布设高频数字信号线,最优设计为该区域不布置任何走线;

    • 晶体周边严禁放置功率电感等磁感应类器件,依托大面积完整地平面实现抗干扰,保证时钟信号纯净。

../_images/SF32LB57x-PCB-CRYSTAL.png
图3-3-1 晶体布局图


48MHz 晶体建议走表层布线,走线长度控制在 3~10mm、线宽 0.1mm,需做立体包地处理,同时远离 VBAT、DC/DC 以及各类高速信号线;晶体所在区域的表层与相邻层设置禁布区,不允许其他线路穿过该区域。

../_images/SF32LB57x-PCB-48M-MOD.png
图3-3-2 48MHz 晶体走线模型


../_images/SF32LB57x-PCB-48M-ROUTE-REF.png
图3-3-3 48MHz 晶体走线参考


32.768KHz 晶体建议表层布线,走线长度不超过 10mm、线宽 0.1mm,32K_XI 与 32K_XO 平行走线间距≥0.15mm,需做立体包地处理;晶体区域的表层及相邻层设置禁布区,禁止其他线路穿过该区域。

../_images/SF32LB57x-PCB-32K-MOD.png
图3-3-4 32.768KHz 晶体走线模型


../_images/SF32LB57x-PCB-32K-ROUTE-REF.png
图3-3-5 32.768KHz 晶体走线参考


3.4.射频

射频匹配电路需靠近芯片端布局,远离天线端;AVDD_BRF 射频电源的滤波电容紧贴芯片引脚放置,电容接地引脚直接打过孔连接主地平面,RF 信号 π 型匹配网络的原理图与 PCB 布局可分别参考图3-4-1、图3-4-2。

../_images/SF32LB57x-PCB-RF.png
图3-4-1 π型网络布局和走线参考


射频信号线建议表层布线,尽量不换层打孔,线宽建议大于 10mil,做立体包地处理,走线禁止锐角、直角设计;射频线路需做 50Ω 阻抗控制,线路两侧密集布设屏蔽地孔。

../_images/SF32LB57x-PCB-RF-ROUTE.png
图3-4-2 RF信号走线参考


备注

  • 射频走线需结合 PCB 叠层结构进行 50Ω 阻抗精准控制;

  • 射频路径上匹配器件焊盘与走线宽度差异易引发阻抗不连续,可对器件焊盘下方参考地层按焊盘尺寸做挖空处理优化阻抗连续性;

  • 若使用 IPEX 天线座,天线座下方所有 PCB 层均需做禁止铺铜挖空处理;

  • PCB 天线需经过仿真与实板调试,建议增设一组 CLC 匹配电路,并将该电路尽量靠近天线端放置。

3.5.模拟信号

3.5.1.音频

AVDD33_AUD、MIC_BIAS、AUD_VREF 引脚的滤波电容均需就近布置在芯片引脚旁,保证电容接地端可靠接入 PCB 主地,优化音频电源滤波效果。

../_images/SF32LB57x-PCB-AUDIO-PWR.png
图3-5-1-1 音频相关电源滤波电路PCB参考走线


ADCP 模拟信号输入端外围器件需紧靠芯片引脚摆放,走线尽可能缩短并做立体包地处理,同时远离各类强干扰信号线。

../_images/SF32LB57x-PCB-AUDIO-ADC.png
图3-5-1-2 模拟音频输入PCB参考走线


DACP、DACN 模拟差分输出引脚的外围器件需紧靠芯片引脚布局,每组 P、N 信号按差分规则布线,走线尽量缩短,控制寄生电容小于 10pF,做立体包地处理,并远离各类强干扰信号。

../_images/SF32LB57x-PCB-AUDIO-DAC.png
图3-5-1-3 模拟音频输出PCB参考走线


3.5.2.GPADC

配置为 GPADC 功能的引脚走线需做立体包地处理,远离电池检测、温度检测等干扰电路。

3.6.高速信号

3.6.1.MPI

MPI 信号线尽量集中布线不要分散铺设,整体走线长度不超过 20mm,同组内各信号线长度误差控制在 3mm 以内,时钟、数据及命令信号线均需做立体包地处理。

3.6.2.SDIO

SDIO 信号线尽量集中布线不要分散铺设,整体走线长度不超过 50mm,同组内各信号线长度误差控制在 6mm 以内,时钟、数据及命令信号线均需做立体包地处理。

../_images/SF32LB57x-PCB-SDIO-MOD.png
图3-6-2-1 SDIO信号走线模型


../_images/SF32LB57x-PCB-SDIO.png
图3-6-2-2 SDIO PCB参考走线


3.6.3.USB

USB 差分信号 PA35(USB_DP)、PA36(USB_DN)需先经过 ESD 防护器件再接入芯片,ESD 器件接地引脚可靠连接主地;信号线按差分布线并做 90Ω 差分阻抗控制,同时进行立体包地处理。

../_images/SF32LB57x-PCB-USB-LAYOUT.png
图3-6-3-1 USB信号器件布局参考


../_images/SF32LB57x-PCB-USB-MOD.png
图3-6-3-2 USB信号走线模型


../_images/SF32LB57x-PCB-USB.png
图3-6-3-3 USB信号PCB参考走线


3.7.EMI&ESD

  • 屏蔽罩外部表层不要对时钟、电源这类干扰信号做长距离布线,该类信号尽量布置在内层,禁止在表层走线。

  • ESD 防护器件需紧邻连接器对应引脚布设,信号线必须先经过 ESD 器件再接入后端电路,严禁信号在未经过 ESD 防护前出现分支走线。

  • ESD 防护器件接地引脚需通过过孔直接连接主地,接地焊盘采用短粗走线布局,降低接地阻抗,提升 ESD 防护性能。

USB 充电线路的测试点布置在 TVS 防护管前端;电池座对应的 TVS 管安装在芯片电路前端,走线要求信号先经过 TVS 管再接入芯片引脚。

../_images/SF32LB57x-SCH-PMU-TVS.png
图3-7-1 电源TVS布局参考



../_images/SF32LB57x-SCH-PMU-EOS.png
图3-7-2 TVS参考走线



4.设计自查

4.1.封装

表4-1-1 封装相关自查表

序号

事项

确认(Yes/No)

适用芯片

备注

1

原理图库是否正确

-

所有型号

-

2

PCB封装是否安规格书要求制作

-

所有型号

-

4.2.电源

4.2.1.供电

表4-2-1-1 供电相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

VBUS 输入电压范围核查

电池供电系列型号

VBUS 引脚输入供电电压应严格控制在 4.6V~5.5V,禁止超出该电压范围输入,避免器件损坏

2

VBAT 接的电池规格核查

电池供电系列型号

VBAT 充电适配电池额定电压范围为 4.2V~4.45V;预充电电流 40mA,最大充电电流为 1C(400mA)

3

VCC 供电电压范围核查

电池供电系列型号

VCC 引脚供电电压额定工作范围为 3.45V~4.7V;其中 3.45V 为硬件开机电压阈值,2.7V 为硬件关机电压阈值

4

VSYS 电源负载规范核查

电池供电系列型号

VSYS 为芯片内部专用供电电源,仅可给 AVDD_BRF、GPIO 上拉回路供电,禁止驱动所有外部外设

5

VDD33_VOUT1 供电用途与负载约束核查

电池供电系列型号

VDD33_VOUT1 供电负载仅限内置合封 Flash、外部 Nor/Nand Flash 与 AVDD33_AUD,禁止驱动其他所有外设

6

VDD33_VOUT2 供电用途与负载约束核查

电池供电系列型号

VDD33_VOUT2 软启动限流 30mA,电压稳定至 3.3V 后带载能力 150mA;可通过软件关闭软启动限流,需校核外接外设上电电流是否匹配本电源推荐规格

7

AVDD_BRF 供电来源核查

电池供电系列型号

AVDD_BRF 由 VSYS 电源域供电

8

AVDD33_AUD 供电来源核查

电池供电系列型号

AVDD33_AUD 由 VDD33_VOUT1 电源域供电

9

PVDD 输入电压范围核查

3.3V供电系列型号

PVDD 引脚额定供电电压范围为 2.93V~3.63V,典型默认工作电压 3.3V

10

VBATS 输入电压采样范围核查

3.3V供电系列型号

VBATS 电池电压检测采样范围为 0~4.5V,禁止超量程电压输入

11

AVDD_BRF 供电来源核查

3.3V供电系列型号

AVDD_BRF 采用外部 3.3V 电源供电

12

AVDD33_AUD 供电来源核查

3.3V供电系列型号

AVDD33_AUD 采用外部 3.3V 电源供电

13

AVDD33_ANA 供电来源核查

3.3V供电系列型号

AVDD33_ANA 采用外部 3.3V 电源供电

14

VDDIOA 供电来源核查

3.3V供电系列型号

VDDIOA 的输入供电电压范围需以对应订购型号为准,具体参数请查阅规格书内的型号说明

15

电池电压检测电路核查

所有型号

芯片内部已分配一路 GPADC 通道连接至 VBAT/VBATS 引脚,无需再接到其他 GPADC 通道来检测

16

BUCK_LX、BUCK_FB硬件接线正确性核查

所有型号

需确认 BUCK 开关引脚与反馈引脚的接线方式严格遵循芯片硬件设计规范要求

17

VDD18_VOUT 供电用途核查

所有型号

VDD18_VOUT 仅用于为芯片内置合封 PSRAM 供电,严禁为外部 1.8V 外设供电

18

GPADC_VREF 连接核查

所有型号

GPADC_VREF 为芯片 GPADC 模块内部参考电压输出引脚,仅允许外接电容,禁止接入外部电压信号

19

AUD_VREF 连接核查

所有型号

AUD_VREF 是芯片音频模块的内部参考电压输出引脚,仅允许外接电容,严禁接入外部电压

20

VBUS 电容容值核查

电池供电系列型号

VBUS 引脚需外接容量不小于 10μF/10V 的电容,且电容需靠近引脚摆放

21

VBAT 电容容值核查

电池供电系列型号

VBAT 引脚外接电容容量不小于 4.7μF/10V,电容需紧邻引脚放置

22

VCC 电容规格核查

电池供电系列型号

VCC 引脚外接电容容量不小于 10μF/10V,电容需靠近引脚放置

23

VSYS 电容规格核查

电池供电系列型号

VSYS 引脚需外接 2.2μF/6.3V 电容,该电源域内全部电容的总容值之和不可超过 9.6μF,且电容需靠近引脚摆放

24

VDD33_VOUT1 电容规格核查

电池供电系列型号

VDD33_VOUT1 引脚需外接 2.2μF/6.3V 电容,该电源域内全部电容的总容值之和不可超过 9.6μF,且电容需靠近引脚摆放

25

VDD33_VOUT2 电容规格核查

电池供电系列型号

VDD33_VOUT1 引脚需外接 2.2μF/6.3V 电容,该电源域内全部电容的总容值之和不可超过 9.6μF,且电容需靠近引脚摆放

26

PVDD 电容规格核查

3.3V供电系列型号

PVDD 引脚需外接容量不小于 10μF/6.3V 的电容,且电容需靠近引脚摆放

27

VBATS 电容规格核查

3.3V供电系列型号

VBATS 引脚需外接 0.1μF/10V 去耦电容,且电容需靠近引脚摆放

28

VDDIOA 电容规格核查

3.3V供电系列型号

VDDIOA 引脚需外接 4.7μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

29

AVDD33_ANA 电容规格核查

3.3V供电系列型号

AVDD33_ANA 引脚需外接 1μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

30

BUCK_FB 电容规格核查

所有型号

BUCK_FB端配置4.7μF电容,放置在电感和芯片管脚之间

31

VDD_VOUT1 电容规格核查

所有型号

VDD_VOUT1 引脚需外接 4.7μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

32

VDD_VOUT2 电容规格核查

所有型号

VDD_VOUT2 引脚需外接 4.7μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

33

VDD_RET 电容规格核查

所有型号

VDD_RET 引脚需外接 0.47μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

34

VDD_RTC 电容规格核查

所有型号

VDD_RTC 引脚需外接 1μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

35

MIC_BIAS 电容规格核查

所有型号

MIC_BIAS 引脚需外接 1μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

36

AVDD_BRF 电容规格核查

所有型号

AVDD_BRF 引脚需外接 4.7μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

37

AVDD33_AUD 电容规格核查

所有型号

AVDD33_AUD 引脚需外接 2.2μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

38

AUD_VREF 电容规格核查

所有型号

AUD_VREF 引脚需外接 1μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

39

GPADC_VREF 电容规格核查

所有型号

GPADC_VREF 引脚需外接 4.7μF/6.3V 电容,且电容需靠近引脚摆放

40

BUCK 电感型号合规性核查

所有型号

优先选用 AVL 表内推荐的电感型号;若选用其他型号,需满足以下参数要求:电感值 4.7μH,直流阻抗 DCR≤0.4Ω,饱和电流 Isat≥450mA

41

BUCK_LX 抗干扰预留设计核查

所有型号

搭载 GPS 等敏感外设的机型,需在 BUCK_LX 引脚预留接地电容焊盘,所选电容容值应小于 100pF,最终容值以整机 EMC 调试结果为准

42

VBUS 电源线宽核查

电池供电系列型号

VBUS 供电走线线宽不小于 16mil

43

VBAT 电源线宽核查

电池供电系列型号

VBAT 供电走线线宽不小于 16mil

44

VCC 电源线宽核查

电池供电系列型号

VCC 供电走线线宽不小于 12mil

45

VDD33_VOUT1 电源线宽核查

电池供电系列型号

VDD33_VOUT1 供电走线线宽不小于 10mil

46

VDD33_VOUT1 电源线宽核查

电池供电系列型号

VDD33_VOUT2 供电走线线宽不小于 10mil

47

PVDD 电源线宽核查

3.3V供电系列型号

VCC 供电走线线宽不小于 12mil

48

VDDIOA 电源线宽核查

3.3V供电系列型号

VDDIOA 供电走线线宽不小于 10mil

49

BUCK_LX 和 BUCK_FB 电源线宽核查

所有型号

该部分供电走线线宽不得小于 10mil,走线尽可能短

50

AVDD_BRF 电源线宽核查

所有型号

AVDD_BRF 供电走线线宽不小于 8mil

51

AVDD33_AUD 电源线宽核查

所有型号

AVDD33_AUD 供电走线线宽不小于 8mil

52

充电接口防护电路核查

电池供电系列型号

充电输入接口必须设计 OVP 过压保护电路

53

充电即刻亮屏方案充电芯片选型核查

电池供电系列型号

若要求接入充电器后设备立即亮屏,不可使用芯片内置充电方案,必须选用具备电源路径管理功能的外置充电芯片

54

内置充电器使用场景合规性核查

电池供电系列型号

仅允许在电池电压充至 3.6V 后通过软件开机亮屏的场景下,选用芯片内置充电方案

55

OVP 过压保护芯片选型参数核查

电池供电系列型号

推荐选用带 LDO 输出的 OVP 器件(如 LP5305AQVF);要求 LDO 输出电压范围 4.7V~5.4V,带载能力不低于 0.5A,过流保护阈值 Iocp 不低于 0.7A

56

可调 OVLO 型 OVP 电路参数核查

电池供电系列型号

分压电阻需选用精度 1% 的规格,OVLO 阈值误差小于 3%,电压调节范围设置为 5.15V~5.55V

57

未使用内置充电时 VBUS 电路设计核查

电池供电系列型号

未使用片内充电器时,VBUS 引脚可做悬空处理,可省略 VBUS 端外接电容;该场景下 VBAT 不具备对外输出能力

4.2.2.功耗

表4-2-2-1 功耗相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

LDO、DCDC电源芯片选型与使能引脚设计检查

所有型号

选用EN引脚高电平有效规格的电源芯片;默认关断输出时,EN引脚需下拉1MΩ~5.1MΩ电阻至地,阻值根据整机低功耗需求选型确定

2

MOS管电源开关电路设计检查

所有型号

电源开关采用PMOS+NMOS组合拓扑,控制引脚高电平开启电源、低电平关断电源;控制引脚固定下拉1MΩ电阻至地

3

外部启动介质电源控制引脚核查

所有型号

外部启动介质供电电源开关由PA21引脚单独控制

4

VSYS作为GPIO上拉电源功耗合规性检查

电池供电系列型号

VSYS为常供电电源,采用VSYS作为GPIO上拉电源时,需充分评估静态功耗,确认满足整机低功耗指标要求

5

LDO2/LDO3作为GPIO上拉电源场景兼容性检查

电池供电系列型号

选用LDO2或LDO3作为GPIO上拉电源时,需评估两路LDO下电场景,确认不会出现漏电、IO电平异常等设计风险

6

I2C总线上拉电源控制逻辑检查

所有型号

I2C上拉供电电源必须与对应外设IO域电源同步通断,防止系统休眠期间产生漏电流

7

Deep Sleep模式整机底电流指标核查

所有型号

确认项目规定的Deep Sleep模式静态电流上限指标

8

Deep Sleep模式外围器件总功耗核查

所有型号

统计所有外围器件在Deep Sleep模式下的静态电流总和,校验是否满足项目功耗指标要求

9

Standby模式整机底电流指标核查

所有型号

确认项目规定的Standby模式静态电流上限指标

10

Standby模式外围器件总功耗核查

所有型号

统计所有外围器件在Standby模式下的静态电流总和,校验是否满足项目功耗指标要求

4.3.时钟

表4-3-1 时钟相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

48MHz主时钟晶体型号合规性检查

所有型号

选用晶体型号需为Sifli官方推荐规格

2

非推荐款48MHz主时钟晶体参数检查

所有型号

负载电容7pF≤CL≤12pF(推荐8.8pF);频率偏差≤±10ppm;等效串联电阻ESR≤30Ω(推荐22Ω)

3

32.768KHz RTC时钟晶体型号合规性检查

所有型号

选用晶体型号需为Sifli官方推荐规格

4

非推荐款32.768KHz RTC晶体参数检查

所有型号

负载电容是否7pF或11.5pF(推荐7pF);频率偏差≤±20ppm;等效串联电阻ESR≤80kΩ(推荐38kΩ)

5

晶体器件布局位置检查

所有型号

晶体器件需紧邻芯片对应晶体引脚放置,缩短走线长度

6

晶体周边接地屏蔽设计检查

所有型号

晶体器件及振荡走线区域需完整布设GND屏蔽保护

7

晶体下方地层禁止铺铜区域检查

所有型号

4层PTH板:TOP层晶体下方做铜皮避让;6层HDI板:TOP层、第2层均需做铜皮避让处理

8

振荡走线与接地铜皮间距检查

所有型号

晶体振荡信号线与周边GND包铜的间距需大于1.5倍走线线宽

9

32K RTC晶体平行走线间距检查

所有型号

32.768KHz晶体相关平行走线之间的线间距需大于2倍基础线宽

4.4.存储

表4-4-1 存储相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

MPI3 外接 SPI NOR Flash 引脚上拉检查

所有型号

PA13(MPI D1)、PA17(MPI D3) 无需上拉电阻

2

MPI3 外接 SPI NAND Flash 引脚上拉检查

所有型号

PA13(MPI D1) 无需上拉;PA17(MPI D3) 必须接7.5kΩ上拉电阻

3

MPI3 外接 SD NAND Flash 引脚上拉检查

所有型号

PA13(SD D3)、PA15(SD CMD) 必须接7.5kΩ上拉电阻;PA17(SD D1) 无需上拉

4

MPI3 外接 eMMC 引脚上拉检查

所有型号

PA13(SD D3)、PA17(SD D1)、PA15(SD CMD) 全部必须接7.5kΩ上拉电阻

5

合封存储占用 MPI3 时外部介质兼容性核查

所有型号

芯片合封存储占用MPI3通道后,外部MPI3仅支持SD NAND / eMMC,禁止挂载SPI NOR/SPI NAND

6

MPI3 外接存储电源控制电路核查

所有型号

1. SPI NOR Flash:可常供电;
2. SPI NAND / SD NAND / eMMC:必须增加电源开关控制;
3. 外部介质启动场景:存储电源默认上电导通

7

外接存储颗粒型号合规性核查

所有型号

选用的存储颗粒型号需在项目AVL认证清单内

8

存储颗粒IO电平匹配核查

所有型号

存储颗粒工作电压范围与主芯片IO供电电平保持一致

4.5.射频

表4-5-1 射频相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

ANT信号阻抗标注检查

所有型号

ANT信号线已明确标注单端50Ω特征阻抗设计约束

2

ANT端PI型匹配网络设计检查

所有型号

信号链路预留PI型匹配网络,并联位为NC电容,串联位放置15pF电容

3

RF射频走线阻抗设计检查

所有型号

全部RF走线按照单端50Ω特征阻抗规则完成PCB阻抗控制

4

射频走线两侧接地屏蔽检查

所有型号

射频线路两侧接地铜皮宽度不低于60mil,通过多个接地过孔可靠连接至主地层

5

天线PI型匹配网络布局位置检查

所有型号

预留的PI型匹配网络必须靠近射频芯片引脚端摆放

6

射频走线下方地层完整性检查

所有型号

射频信号走线正下方必须铺设连续、无分割的完整GND屏蔽地层

7

射频区域高速数字信号隔离检查

所有型号

射频信号走线正下方禁止布设任意高速数字信号线

8

射频区域大功率电源信号隔离检查

所有型号

射频信号走线正下方禁止布设电流波动较大的电源类信号线

4.6.多媒体

4.6.1.显示

表4-6-1-1 显示相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

QSPI接口显示屏引脚分配检查

所有型号

优先选用PA00~PA08引脚组的专用复用管脚进行线路连接

2

RGB接口显示屏引脚分配检查

所有型号

常规速率下可任意GPIO分配;信号速率超30MHz时,仅可在PA22~PA50、PA52~PA54(B1~B6)范围内分配引脚

3

MCU 8080接口显示屏引脚分配检查

所有型号

引脚分配规则同RGB接口,高速场景限定使用PA22~PA50、PA52~PA54引脚组

4

EPD电子纸显示屏引脚分配检查

所有型号

引脚分配规则同RGB接口,高速场景限定使用PA22~PA50、PA52~PA54引脚组

5

显示屏高速信号线EMI抑制设计检查

所有型号

时钟信号线串联阻值≤50Ω的限流电阻,预留并联NC封装电容焊位,通过RC电路抑制电磁辐射干扰

6

显示屏高速PCB走线布局检查

所有型号

高速信号线优先布置于PCB内层;屏幕连接器、FPC排线需远离射频天线区域布置

7

显示屏电源及背光电路控制检查

所有型号

屏幕功耗较高,必须设计电源开关控制电路;常亮屏方案以外,屏幕供电、背光电源默认上电关闭

8

显示屏、触摸芯片IO电平兼容性检查

所有型号

屏幕、触摸器件的工作电压范围需与主控芯片IO域供电电平保持匹配

4.6.2.音频

表4-6-2-1 模拟音频相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

MEMS麦克风硬件接线正确性检查

所有型号

确认MEMS MIC信号、偏置等引脚接线方式符合硬件设计规范

2

MEMS麦克风供电电源检查

所有型号

MEMS MIC必须采用芯片MIC_BIAS作为供电偏置电源

3

单端模拟ECM麦克风硬件接线正确性检查

所有型号

确认单端ECM麦克风信号、偏置等引脚接线方式符合硬件设计规范

4

单端模拟ECM麦克风供电电源检查

所有型号

单端ECM MIC必须采用芯片MIC_BIAS作为供电偏置电源

5

音频ADC输入隔直电容设计检查

所有型号

所有音频ADC输入通道必须串联容量≥2.2μF的隔直电容

6

音频DAC输出端阻容匹配电路检查

所有型号

DACP、DACN信号靠近芯片端各串联1kΩ电阻,两路信号之间并联1.5nF电容

7

ADCP信号线接地屏蔽设计检查

所有型号

ADCP走线区域需完成立体包地屏蔽处理,抑制外部电磁干扰

8

DACP/DACN差分走线及接地屏蔽检查

所有型号

DACP、DACN严格按照差分等长规则布线,走线区域做完整立体包地处理

9

DACP/DACN走线长度与寄生电容约束检查

所有型号

控制DACP/DACN走线总长度,保证线路寄生电容参数小于10pF

10

AVDD_BRF、AVDD33_AUD模拟电源走线设计检查

所有型号

两路模拟电源走线需做包地屏蔽处理,布线位置远离大电流线路、强干扰类信号线路

11

ADC1P复用引脚PA55配置检查

所有型号

ADC1P与PA55为引脚复用功能,当启用ADC1P模拟输入功能时,需将PA55配置为高阻输入模式,避免功能冲突、信号异常

12

ADC2P复用引脚PA10配置检查

所有型号

ADC2P与PA10为引脚复用功能,当启用ADC2P模拟输入功能时,需将PA10配置为高阻输入模式,避免功能冲突、信号异常

13

MICBIAS复用引脚PA56配置检查

所有型号

MICBIAS偏置电源与PA56为引脚复用功能,当启用MICBIAS功能时,需将PA56配置为高阻输入模式,防止引脚功能冲突引发漏电或电路故障

4.6.3.摄像头

表4-6-3-1 摄像头相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

摄像头的硬件接线正确性检查

所有型号

确认摄像头的信号和电源等引脚接线方式符合硬件设计规范

2

摄像头供电电源检查

所有型号

确保不同型号的摄像头的核电源供电符合规格书的要求

4.7.通用接口

4.7.1.按键

表4-7-1-1 按键相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

按键硬件唤醒功能需求核查

所有型号

根据产品方案确认按键是否需要配置硬件唤醒功能,完成对应电路与软件配置设计

2

普通按键电路接线规范性检查

所有型号

确认按键上拉电路设计合规,包含上拉电阻阻值选型正确、上拉电压域与IO供电域匹配

3

开关机按键专用引脚与电路设计检查

所有型号

开关机按键必须选用PA34引脚,电平配置为高电平有效;支持长按10s硬件复位功能;10kΩ下拉电阻必须布置在主板端

4

全部按键信号ESD防护电路检查

所有型号

所有按键输入信号线均需配套ESD防护器件且靠近按键放置,满足静电防护设计规范要求

4.7.2.UART

表4-7-2-1 UART接口相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

UART接口收发引脚接线正确性检查

所有型号

遵循交叉接线规则:MCU端RXD连接外设TXD,MCU端TXD连接外设RXD

2

PA35、PA36复用UART复位状态可靠性检查

所有型号

主控复位期间,需保证该两路引脚外接外设处于掉电状态,或通过软件配置将PA35、PA36拉低,避免异常电平引发器件误动作

3

UART外设IO电平兼容性检查

所有型号

外接设备IO工作电压范围需与主控芯片对应IO域供电电平保持一致

4.7.3.I2C

表4-7-3-1 I2C接口相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

I2C总线上拉电阻设计检查

所有型号

I2C的SDA、SCL引脚必须配置上拉电阻;通信速率400K时推荐选用2.2kΩ电阻;上拉电压域需采用外设设备端供电,关机状态下上拉电压随设备电源同步关断

2

I2C中断唤醒功能配置检查

所有型号

确认I2C配套中断引脚是否需要开启硬件唤醒功能,并按需求完成对应配置设计

3

I2C类传感器数据读取方式检查

所有型号

挂载在I2C总线上的加速度、心率、地磁等传感器,需支持单次连续批量读取全部寄存器数据

4

多设备I2C总线地址分配检查

所有型号

单路I2C总线挂载多个外设时,所有器件必须具备唯一从设备地址,不存在地址冲突

4.7.4.SPI

表4-7-4-1 SPI接口相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

SPI接口硬件接线正确性检查

所有型号

严格遵循交叉接线规则:主控SDO连接外设SDI,主控SDI连接外设SDO,CLK、CS片选信号直连

2

SPI通信时序参数兼容性检查

所有型号

主控配置的时钟频率、相位、极性等时序参数,需完全匹配外设器件规格要求

3

SPI外设IO电平匹配性检查

所有型号

外设工作IO电压范围需与主控芯片对应IO域供电电平保持一致

4.7.5.GPADC

表4-7-5-1 GPADC相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

GPADC引脚复用分配检查

所有型号

确认GPADC输入信号仅接入PA28~PA38这11路可复用GPIO引脚,未使用其他非支持引脚

2

GPADC输入电压范围合规性检查

所有型号

输入至GPADC通道的模拟电压必须控制在0~3.3V额定工作区间内,禁止超压输入

3

分压采样电路与滤波电路设计检查

所有型号

采用电阻分压采样的通道,分压电阻精度需选用1%规格;每一路GPADC输入必须在靠近芯片引脚位置放置100nF滤波电容

4

GPADC模拟走线屏蔽与布线隔离检查

所有型号

GPADC模拟走线需远离高速平行信号线,走线区域做包地屏蔽处理,避免数字噪声干扰采样精度

4.7.6.USB

表4-7-6-1 USB相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

USB接口硬件接线正确性检查

所有型号

确认USB差分信号、电源、地等引脚接线方式符合USB硬件设计规范,接线定义无错位、短接问题

2

USB接口静电防护设计检查

所有型号

USB数据线、VBUS等关键引脚均需配置ESD防护器件,满足整机静电防护设计要求

3

正常工作模式下USB插拔检测功能检查

所有型号

MCU处于非睡眠状态时,保持USB使能开启,可通过USB协议正常识别设备的插入、拔出动作

4

MCU睡眠模式下USB插拔唤醒电路检查

所有型号

若需要在MCU休眠时识别USB插拔事件,必须增加VBUS电阻分压电路,分压后输出与IO域电平匹配的电压接入MCU硬件唤醒引脚,该检测引脚建议与充电器插入检测引脚复用

5

USB_DP复用引脚PA35配置检查

所有型号

USB_DP与PA35为引脚复用功能,启用USB_DP功能时,需将PA35配置为高阻输入模式,规避引脚功能冲突、信号干扰及漏电问题

6

USB_DM复用引脚PA36配置检查

所有型号

USB_DM与PA36为引脚复用功能,启用USB_DM功能时,需将PA36配置为高阻输入模式,防止复用功能冲突导致USB通信异常

4.7.7.硬件外部唤醒

表4-7-7-1 硬件外部唤醒相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

硬件外部唤醒中断源引脚范围合规性检查

所有型号

外部硬件唤醒中断仅可选用PA33~PA42范围内共10路GPIO引脚,需确认所用唤醒引脚在该指定区间内,未使用其他非支持引脚作为外部唤醒中断源

4.7.8.调试和下载

表4-7-8-1 下载和调试口相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

DBG_UART调试下载接口硬件设计检查

所有型号

PA18(RXD)、PA19(TXD)默认为程序下载调试接口,确认TXD和RXD是否使用正确

2

SWD默认调试下载接口硬件设计检查

所有型号

PA43、PA44作为默认SWD程序调试下载引脚,必须预留可焊接测试点,方便烧录、调试使用

3

Boot启动模式配置引脚硬件设计检查

所有型号

PA00为Boot模式选择引脚,需预留上拉电阻,同时配套预留测试点,用于启动模式配置与测试

4

SWD引脚位置切换引脚硬件设计检查

所有型号

PA01用于SWD接口位置切换,可根据产品实际设计需求,选择性预留上拉电阻及测试点

4.7.9.EOS&ESD

表4-7-9-1 EOS&ESD相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

充电接口防护电路设计检查

所有型号

充电接口需完整配置EOS浪涌防护、ESD静电防护、OVP过压防护三类保护器件,满足电气可靠性要求

2

电池接口静电防护设计检查

所有型号

电池接口电源、信号引脚均需部署ESD防护器件,防止静电损坏芯片及电池

3

天线接口静电防护设计检查

所有型号

射频天线信号引脚需配置专用ESD防护器件,避免静电造成射频性能衰减或芯片损坏

4

LCD、触摸屏电源接口静电防护检查

所有型号

LCD与TP的供电电源引脚必须加装ESD防护器件,抑制静电干扰与浪涌冲击

5

触摸屏通信与控制引脚静电防护检查

所有型号

TP的I2C总线、复位RST、中断INT信号线全部需要配置ESD防护器件

6

心率传感器电源及信号线静电防护检查

所有型号

心率模块的供电引脚、所有信号传输引脚均需配置ESD防护器件

4.8.产线

表4-8-1 产线相关自查表

序号

核查事项

确认(Yes/No)

适用芯片

核查要点

1

程序下载调试必备测试点完整性检查

电池供电系列型号

必须预留VBAT或3.3V、GND、PA18(DBG_UART_RXD)、PA19(DBG_UART_TXD)、VSYS(3.3V供电系列无)、PA34引脚对应的测试点

2

调试测试点布局位置合理性检查

所有型号

所有预留测试点的布局位置需便于人工探针测试、手工焊接操作,无遮挡、布线拥挤等不易操作的问题

3

量产夹具专用测试点规格符合性检查

所有型号

VBAT或3.3V、GND、PA18、PA19、VDD33_VOUT1(3.3V供电系列无)、PA00、PA01、PA34等夹具用到的测试点,焊盘尺寸、排布间距、放置方位均需匹配量产工装夹具的探针规格要求

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